型号：CL31F684ZPNE
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：600V
　　最大栅源电压(V_GS)：±20V
　　持续漏极电流(I_D)：4A
　　导通电阻(R_DS(on))：1.5Ω（典型值，在 V_GS=10V 时）
　　总功耗(P_TOT)：100W
　　结温范围(T_J)：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-220

CL31F684ZPNE 的主要特点是高耐压能力和低导通电阻，能够在高频开关条件下提供高效的性能。
　　1. 高电压能力：该器件的最大漏源电压高达 600V，非常适合需要高电压耐受的应用环境。
　　2. 快速开关速度：优化了栅极电荷设计，从而减少了开关损耗并提高了效率。
　　3. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 1.5Ω，有助于降低传导损耗。
　　4. 良好的热性能：采用 TO-220 封装，具有较大的散热面积，可有效管理芯片温度。
　　5. 宽工作温度范围：从 -55°C 到 +150°C 的结温范围，确保其在极端条件下的可靠性。
　　这些特点使 CL31F684ZPNE 成为众多工业和消费电子领域中理想的功率开关元件。

CL31F684ZPNE 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：
　　 在开关电源中作为主开关管使用，负责将输入电压转换为稳定的输出电压。
　　2. 电机驱动：
　　 可用于控制直流电机或步进电机的运行状态，实现正反转和调速功能。
　　3. 逆变器：
　　 用作逆变电路中的功率开关，将直流电转换为交流电。
　　4. 负载切换：
　　 在汽车电子和工业控制系统中，用于切换大电流负载。
　　5. PFC（功率因数校正）：
　　 在功率因数校正电路中作为功率开关，提高系统的效率和稳定性。

IRF840, STP8NK60Z