MMBD7000T/R 时间：2025/8/15 2:03:23 阅读：33

MMBD7000T/R是一款由ON Semiconductor生产的双通道、低压差、高频肖特基二极管阵列。该器件设计用于需要高效、高速开关性能的应用场合，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，适用于便携式电子设备、电源管理和信号整流等领域。

参数

类型：肖特基二极管阵列
　　拓扑结构：双通道共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向电流（IF）：200mA
　　正向电压（VF）：0.35V @ 100mA
　　反向漏电流（IR）：100nA @ 30V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MMBD7000T/R采用了先进的肖特基势垒技术，使其在低电压应用中具有出色的能效表现。其低正向电压降减少了功率损耗，提高了系统效率，同时，快速恢复时间使其非常适合用于高频整流和开关应用。
　　该器件的双通道共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共端，简化了电路布局并减少了元件数量，适用于需要紧凑设计和低功耗的应用场景。
　　此外，MMBD7000T/R采用SOT-23小型表面贴装封装，适合自动化生产流程，并具有良好的热稳定性和可靠性。该器件符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多种领域。

应用

MMBD7000T/R广泛应用于便携式电子产品中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其高速开关特性使其适用于DC-DC转换器、电池充电电路、负载开关和电压检测电路。
　　在通信系统中，该器件可用于射频信号整流、混频和检波等高频电路设计。此外，MMBD7000T/R也常用于工业控制设备中的传感器接口电路、逻辑隔离电路以及电源反向保护电路。
　　由于其高可靠性和小型封装，MMBD7000T/R也适用于汽车电子系统中的车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统等应用。