类型：P沟道
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：120 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：120 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5 V
　　额定集电极电流（IC）：-1 A
　　最大集电极耗散功率（PC）：625 mW
　　直流电流增益（hFE）：70～400（测试条件IC = -500 mA）
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤ -0.3 V（典型值，在IC = -500 mA, IB = -50 mA条件下）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：S-Mini（超小型表面贴装封装）

2SB798G-DM-AB3-R具备出色的电气性能和稳定的热响应特性，适用于多种模拟与数字电路应用场景。其核心特性之一是高直流电流增益（hFE），在典型工作电流下可达到70至400的宽范围增益值，这意味着该晶体管能够在较小的基极驱动电流下实现较大的集电极电流输出，从而有效提升信号放大能力并降低驱动电路的设计复杂度。这一特性使其特别适用于音频前置放大器、小信号处理级以及需要高灵敏度控制的接口电路。
　　另一个关键优势是其低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），在标准测试条件下典型值仅为-0.3V左右。低饱和压降意味着在开关模式下导通损耗更低，有助于提高系统整体能效，尤其在电池供电或节能要求较高的设备中具有重要意义。同时，该特性还减少了器件在持续导通状态下的发热问题，延长了使用寿命，并降低了对散热结构的要求。
　　该器件采用S-Mini封装，具有极小的物理尺寸和优良的热传导性能，非常适合高密度PCB布局和自动化SMT贴装工艺。其引脚排列符合行业通用标准，便于替换同类产品或进行PCB兼容设计。此外，封装材料具备良好的耐湿性和机械强度，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
　　2SB798G-DM-AB3-R支持宽范围的工作温度（-55°C至+150°C），能够在极端高低温环境下保持稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场合。器件还具有较强的抗静电放电（ESD）能力和较高的击穿电压等级，提升了系统的鲁棒性。所有参数均经过严格筛选和测试，确保批次一致性，有利于大批量生产的质量控制。

2SB798G-DM-AB3-R广泛应用于各种需要中等功率开关或信号放大的电子系统中。常见用途包括电源管理电路中的负载开关、继电器驱动器、电机控制模块以及DC-DC转换器中的控制级晶体管。由于其较高的电压耐受能力和稳定的电流增益特性，该器件也常用于反激式开关电源（Flyback Converter）中的反馈控制回路或光耦驱动部分，实现高效的隔离式电压调节功能。
　　在消费类电子产品领域，该晶体管可用于LCD电视、机顶盒、音响设备和充电器等产品的内部电路中，执行信号切换、电平转换或LED背光驱动等功能。其低饱和压降和高增益特性有助于提升整机效率并减少发热。
　　在工业控制系统中，2SB798G-DM-AB3-R可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及电磁阀驱动单元，提供可靠的开关动作和噪声抑制能力。此外，由于其符合RoHS标准且具备良好的环境适应性，也可应用于车载电子设备如车灯控制、车载娱乐系统和辅助电源模块中，满足汽车行业对元器件长寿命和高可靠性的需求。
　　对于研发人员而言，该晶体管是一个理想的通用型P沟道BJT选择，可用于原型设计、教学实验和故障诊断电路中，帮助快速验证电路功能。结合适当的偏置电阻和保护元件，可以构建稳定的共发射极放大器或逻辑反相器电路。

2SB798G