时间：2025/11/14 15:36:16
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CL31C561JGFNFNE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于CL系列，广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域。CL31C561JGFNFNE采用0603（1608公制）封装尺寸，具有较高的体积效率和良好的高频特性，适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。该电容器的标称电容值为560pF，额定电压为50V，电容容差为±5%（代号J），适用于需要稳定电容性能的射频匹配、滤波和旁路电路中。其介质材料为C0G（NP0）类型，具备极佳的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内电容值变化不超过±30ppm/°C，确保了在宽温环境下的电气性能一致性。此外，CL31C561JGFNFNE符合RoHS环保要求，并具备良好的抗湿性和焊接可靠性，支持回流焊工艺。由于其优异的电气特性和稳定性，该型号常用于高频信号处理、精密振荡电路及电源去耦等关键应用场景。
制造商：Samsung Electro-Mechanics
产品系列：CL
电容：560 pF
容差：±5%
额定电压：50 V
温度特性：C0G (NP0)
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装/外壳：0603（1608 公制）
长度：1.6 mm
宽度：0.8 mm
高度：0.8 mm
介质材料：Ceramic
安装类型：表面贴装（SMD）
老化率：不适用（C0G 材料无老化）
ESR（等效串联电阻）：典型值低于 10 mΩ（频率相关）
自谐振频率（SRF）：约 1.5 GHz（取决于PCB布局）
CL31C561JGFNFNE所采用的C0G（NP0）陶瓷介质赋予其卓越的温度稳定性，其电容值随温度的变化极小，通常在全温度范围内保持在±30ppm/°C以内，这意味着在极端高低温环境下仍能维持精确的电容特性，非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡器、滤波器和定时电路中。这种材料还表现出几乎为零的老化率，避免了因时间推移导致的电容漂移问题，从而提高了长期工作的可靠性。
该器件具备优良的电压系数表现，即在不同直流偏压下电容值基本不变，这与X7R或Y5V类MLCC形成鲜明对比。因此，在需要精准阻抗匹配的射频前端模块（如PA输出匹配、LNA输入匹配）中，CL31C561JGFNFNE能够提供一致且可预测的性能。此外，其低损耗因子（Dissipation Factor, DF）小于0.1%，表明能量损耗极低，有利于提升电路效率并减少发热。
结构上，CL31C561JGFNFNE采用多层叠片设计，内部电极交替堆叠，实现了小尺寸下的高Q值和高自谐振频率（SRF），使其可在GHz级高频应用中有效工作。其SMD表面贴装封装便于自动化生产，适用于大规模回流焊接流程，同时具备良好的机械强度和抗热冲击能力。整体设计兼顾高性能与制造兼容性，是现代高频、高稳定性电子系统中的理想选择。
CL31C561JGFNFNE因其出色的电气稳定性和高频响应能力，被广泛应用于各类高性能电子系统中。在无线通信领域，它常用于射频匹配网络，例如在Wi-Fi模块、蓝牙芯片和蜂窝通信前端电路中实现天线调谐、功率放大器输出匹配以及低噪声放大器输入匹配，确保最大功率传输和最小信号反射。此外，该电容器也适用于各种LC滤波电路，包括带通、低通和高通滤波器，尤其在需要恒定截止频率的场合，其温度稳定性优势尤为突出。
在精密模拟电路中，CL31C561JGFNFNE可用于构建高精度振荡回路，如晶体振荡器的负载电容、PLL锁相环中的滤波元件以及ADC/DAC参考电压旁路，以保障时钟信号的纯净度和系统同步精度。在电源管理部分，尽管其容量较小，但仍可用于高频去耦，特别是在RF供电线路中滤除高频噪声，防止干扰敏感电路。
其他应用还包括测试测量仪器、医疗电子设备、汽车电子中的传感器接口电路以及工业控制系统中的定时单元。由于其符合AEC-Q200标准的部分等级要求（具体需查证批次规格），该型号也可能用于车载信息娱乐系统或驾驶辅助系统的非动力域电路中。总之，凡是对电容稳定性、温度特性和高频性能有较高要求的应用场景，CL31C561JGFNFNE都是一个可靠的选择。
GRM188R71H561KA01D
CC0603JRNPO9BN561
GCM155C71H561KE16
CL21A561JQCNNE
RC0603JR-07561L
