类型：达林顿晶体管输出光耦合器
　　正向电流（IF）：最大60mA
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　功耗（PD）：100mW
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms
　　响应时间：最大3μs
　　电流传输比（CTR）：最小500%（IF=5mA时）
　　封装形式：6引脚DIP

ELD-316EWB的特性主要体现在其高隔离电压和优良的电流传输比（CTR）表现。该器件的隔离电压高达5000Vrms，确保了在高压与低压电路之间进行安全的信号隔离。这使得ELD-316EWB适用于需要高绝缘等级的工业控制系统、电力设备和自动化机械中，有效防止高电压对控制侧电路造成损害。
　　此外，ELD-316EWB采用了达林顿晶体管结构，使其在低输入电流下仍能提供较高的输出电流驱动能力。典型情况下，当输入LED电流为5mA时，电流传输比（CTR）可达到500%以上，确保了信号传输的稳定性和可靠性。这种特性使其适用于对响应速度和驱动能力有一定要求的场合，如固态继电器（SSR）驱动、PLC输入/输出隔离、电机控制电路等。
　　在封装方面，ELD-316EWB采用标准6引脚DIP封装，便于手工焊接和自动化装配，广泛应用于各种电路板设计。其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，适合在工业环境或高温条件下稳定运行。

ELD-316EWB常用于需要电气隔离的控制系统中，特别是在工业自动化设备、变频器、伺服驱动器、电源管理系统等领域。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）输入模块中，ELD-316EWB可用于隔离外部传感器信号与内部控制电路，防止干扰或高压冲击影响控制器的正常运行。
　　另一个典型应用是作为固态继电器（SSR）的驱动元件。由于其达林顿晶体管输出结构具有较高的电流增益，ELD-316EWB可以在低输入电流的情况下驱动后级MOSFET或可控硅，实现无触点开关控制，提高系统的可靠性和寿命。
　　此外，ELD-316EWB也广泛应用于通信设备中的电源隔离、电机控制电路中的反馈信号隔离，以及各种工业仪表和测量设备中，用于保护主控单元免受高压或噪声干扰。

TLP185,TLP2601