时间：2025/11/13 19:07:33
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CL31C470JJHNNNE 是由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数、高电容值的X5R或X7R型陶瓷电容器系列，广泛应用于各类消费类电子设备、通信设备和电源管理电路中。CL31C系列是三星标准的贴片陶瓷电容产品线之一，采用镍阻挡层电极结构（Ni-barrier electrode），具备良好的可靠性和抗硫化能力，适合在恶劣环境条件下稳定工作。该型号采用0805（2012公制）封装尺寸，额定电容为47μF，额定电压为6.3V DC，适用于去耦、滤波、旁路和储能等典型应用场景。其低等效串联电阻（ESR）和良好的频率响应特性使其成为现代高频数字电路中的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保要求，无铅且兼容回流焊工艺，便于自动化SMT贴装。由于其较高的体积效率和稳定的电气性能，CL31C470JJHNNNE被广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及便携式电源模块中。
电容：47μF
额定电压：6.3V DC
电容容差：±10%
温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化率 ±15%）
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
介质材料：陶瓷（Class II，BaTiO3基）
电极材料：镍阻挡层（Ni-barrier）
安装类型：表面贴装（SMD）
抗硫化设计：有
RoHS合规性：符合
CL31C470JJHNNNE 具备出色的电容稳定性与温度适应性，其采用X5R类陶瓷介质材料，在-55°C至+85°C的工作温度范围内，电容值的变化控制在±15%以内，相较于Z5U或Y5V等类别具有更高的精度和可靠性。这种稳定性使其非常适合用于需要长期运行且环境温度波动较大的应用场合。此外，该电容器采用了镍阻挡层电极技术，有效防止银迁移和硫化腐蚀，显著提升了器件在高湿、含硫环境下的使用寿命和可靠性，特别适用于工业控制、汽车电子外围电路及户外通信设备。
该器件的0805小型封装实现了高电容密度，在有限的PCB空间内提供47μF的大容量支持，满足现代电子产品小型化和高集成度的需求。同时，其较低的等效串联电阻（ESR）有助于减少纹波电压，提高电源去耦效果，尤其在为高速数字IC（如CPU、GPU、FPGA）供电时能有效抑制噪声并提升系统稳定性。此外，该电容具备良好的耐电压冲击能力和直流偏压特性，在实际施加电压下仍能保持较高的有效电容值。
制造工艺方面，CL31C470JJHNNNE 采用多层叠层结构，通过精密印刷和高温共烧技术实现数百层陶瓷与内电极交替堆叠，从而获得大电容值。其端子电极为铜内浆/镍阻挡层/锡外涂层结构，确保良好的可焊性和机械强度，并兼容无铅回流焊接流程。整体设计兼顾了高性能、高可靠性和量产一致性，是当前主流电子设计中广泛选用的MLCC型号之一。
CL31C470JJHNNNE 主要应用于需要中高压、中大容量去耦和滤波功能的电子电路中。常见使用场景包括移动通信设备中的电源管理单元（PMU）输出滤波，用于平滑DC-DC转换器产生的纹波电压，保障射频模块和基带处理器的稳定供电。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容常用于电池供电路径的储能与瞬态电流补偿，以应对处理器突发功耗带来的电压跌落问题。
此外，该器件也广泛用于各类嵌入式系统主板上的芯片组旁路电容，为SoC、内存和接口控制器提供高频噪声旁路通道。在工业控制和汽车电子领域，尽管其温度范围未达到AEC-Q200严格认证级别，但仍可用于非关键性的辅助电源滤波电路，尤其是在对成本和空间敏感的设计中表现出良好性价比。另外，该电容还可用于ADC/DAC参考电压滤波、音频放大器耦合电路以及传感器信号调理模块中的去耦应用，凭借其稳定的电容特性和低噪声表现，有助于提升模拟信号链的整体信噪比和精度。
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"GRM21BR60J476ME11L",
"C3216X5R0J476M160AB",
"EMK212BJ476MG-T",
"CL21C470JBHNNNE"
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