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GA1206A120GBABR31G 发布时间 时间:2025/6/6 12:08:53 查看 阅读:6

GA1206A120GBABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,适用于各种电力电子应用。其封装形式为 TO-220,便于散热管理和电路布局。
  该型号属于增强型 N 沱道 MOSFET,主要应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:120mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:典型值 75ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

GA1206A120GBABR31G 的关键特性包括:
  1. 高击穿电压:支持高达 650V 的漏源电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻:仅为 120mΩ(典型值),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关能力:具备较低的栅极电荷和优化的开关时间,减少开关损耗。
  4. 良好的热性能:采用 TO-220 封装,能够有效散发热量,适合高功率密度应用。
  5. 宽温度范围:可在 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围内可靠工作,适应恶劣环境条件。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):用于高效 DC-DC 和 AC-DC 转换器。
  2. 电机驱动:实现对直流或步进电机的精确控制。
  3. 电池管理系统 (BMS):用作负载开关以保护电池免受过流或短路影响。
  4. 工业自动化设备:如固态继电器和电磁阀驱动。
  5. 汽车电子:包括车载充电器、LED 照明驱动等。

替代型号

IRF840,
  STP12NM65,
  FQP13N60,
  IXFN120N65T,
  AO3400

GA1206A120GBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容12 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-