时间：2025/12/23 9:09:52
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CL31C231JBCNNNC是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压MOSFET芯片，属于N沟道增强型功率MOSFET系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效率电力转换应用场合。其封装形式为TO-263-3（DPAK），能够提供出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：1.4Ω
栅极电荷：7nC
输入电容：440pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
CL31C231JBCNNNC具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻，在高电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关速度，适合高频电力转换应用。
4. 小尺寸封装，节省PCB板空间并优化热管理。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到各种现代设计中。
6. 可靠性高，适用于恶劣的工作环境，如工业控制、汽车电子等场景。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路，尤其是中小功率直流电机控制。
4. 能量管理系统中的负载切换。
5. 汽车电子设备中的电源管理模块。
6. 工业自动化系统中的功率级元件。
CL31C231JB, CL31C231JBN, IRF540N
