时间：2025/9/14 12:39:49
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PBSS4160PAN,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款双极性功率晶体管（NPN型），属于低电压、高电流晶体管，专为高效率、高功率开关应用而设计。这款晶体管采用先进的技术制造，具备低饱和电压（VCE(sat)）特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。该器件适用于各种功率管理场景，包括DC-DC转换器、负载开关和马达控制等。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（IC）：6 A
最大集电极-发射极电压（VCE）：40 V
最大集电极-基极电压（VCB）：50 V
最大基极电流（IB）：1 A
功耗（PD）：60 W
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-65°C 至 150°C
存储温度范围：-65°C 至 150°C
PBSS4160PAN,115 的主要特性之一是其极低的饱和电压（VCE(sat)），在最大额定电流下可低至约0.3 V，这显著减少了导通损耗并提高了能效。
该晶体管具有较高的电流增益（hFE），在不同的工作条件下仍能保持稳定的放大性能，确保开关响应快速可靠。
其封装形式为TO-220AB，具有良好的热管理和散热能力，适用于需要高功率密度的设计。
此外，PBSS4160PAN,115 具有良好的热稳定性和过载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业环境。
该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合绿色电子产品的设计需求。
PBSS4160PAN,115 常用于需要高电流和高效率的功率电子设备中，如DC-DC升压/降压转换器、电池充电器和电源管理系统。
它也适用于工业自动化设备中的负载开关、马达驱动电路以及电源逆变器等应用场景。
由于其良好的热稳定性和高电流能力，该晶体管也可用于汽车电子系统，如车载充电系统、电动助力转向系统等。
在消费类电子产品中，该器件可用于高功率LED驱动、电源适配器以及智能电源插座等设计中。
PBSS4160P,115; PBSS4160PZ,115; PBSS4060DPN; PBSS4041N
