时间：2025/5/22 8:37:40
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IRF7353D2是一款N沟道增强型MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用TOLL封装形式，具备较低的导通电阻和优秀的开关性能，适合于DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关等应用。IRF7353D2具有高电流处理能力，并且在高温环境下仍能保持稳定的性能。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：89A
导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
输入电容(Ciss)：3380pF
总栅极电荷(Qg)：38nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C至175°C
IRF7353D2采用了先进的制造工艺，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关性能，能够有效降低开关损耗。
3. 较小的栅极电荷Qg，可减少驱动损耗。
4. 高额定电流能力，支持大功率应用。
5. 良好的热稳定性，能够在高温条件下可靠运行。
6. TOLL封装，提供出色的散热性能和紧凑的设计，便于表面贴装技术(SMT)应用。
IRF7353D2广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级MOSFET。
3. 电动工具及电机驱动中的功率开关。
4. 服务器和通信设备中的负载开关。
5. 大功率LED驱动电路中的开关元件。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
IRF7353TRPBF, IRF7353DPBF
