时间：2025/6/24 7:24:04
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CL31B475KAHZW6E 是一款陶瓷电容器，属于 CL 系列，广泛应用于需要高稳定性和高频特性的电子电路中。该型号采用多层陶瓷技术制造，具有小型化、高可靠性和低等效串联电阻（ESR）的特点。其设计适合在高频滤波、耦合和去耦应用中使用。
类型：多层陶瓷电容器
容量：0.01μF
额定电压：50V
耐压：50V
封装：0805
温度特性：C0G/NP0
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
尺寸：2.0mm x 1.25mm
CL31B475KAHZW6E 具有出色的温度稳定性和频率稳定性，采用了 C0G（NP0）介质材料，确保在宽温度范围内电容值变化极小。此外，它还具有低损耗和高 Q 值的特性，非常适合高频应用场景。其小型化的封装设计使其易于集成到紧凑型电路板中，同时具备良好的机械强度和抗振能力。
这款电容器支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和焊接，提升了装配效率。由于其优异的电气性能和可靠性，适用于通信设备、消费类电子产品以及工业控制等领域。
CL31B475KAHZW6E 广泛应用于高频滤波器、射频模块、电源管理电路中的去耦、信号耦合及旁路等功能。具体应用场景包括但不限于：
- 射频前端模块中的匹配网络
- 高速数字电路中的电源去耦
- 滤波电路中的谐振元件
- 工业自动化控制系统中的噪声抑制
凭借其稳定的性能和高频特性，该电容器能够满足多种严苛环境下的需求。
CL21B475KAZN1E
CL21A475KQHNC
CC0805C474J6NSTU
