型号：K9G2G08UOM-PCBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：2 Gb (256 MB)
　　组织结构：x8 位总线宽度
　　页大小：2048 字节 + 64 字节 (备用区)
　　块大小：64 页/块，共128 KB/块
　　总块数：2048 块
　　工艺技术：SLC (Single-Level Cell)
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C (工业级)
　　封装形式：TSOP-I 48-pin (12mm x 20mm)
　　接口类型：并行接口
　　编程时间典型值：200 μs / page
　　擦除时间典型值：2 ms / block
　　ECC要求：建议使用外置或控制器内置ECC（每512字节至少8位纠错）
　　耐久性：约10万次擦写周期
　　数据保持时间：10年（在额定条件下）

K9G2G08UOM-PCBO采用SLC（Single-Level Cell）技术，每个存储单元仅存储1比特数据，相较于MLC或TLC NAND Flash具有更高的可靠性、更长的寿命和更强的抗干扰能力。这种设计使得该芯片特别适合于工业自动化、车载电子、医疗仪器等对数据完整性要求极高的应用场景。SLC结构不仅提升了写入速度和读取稳定性，还显著降低了位错误率，从而减少了ECC负担，提高了整体系统的稳健性。该芯片支持标准的NAND Flash命令协议，包括读页、编程、擦除、读ID和状态轮询等功能，便于开发者利用通用的驱动程序进行开发。
　　在电气特性方面，K9G2G08UOM-PCBO工作电压为2.7V至3.6V，符合低功耗设计趋势，同时能够在较宽的电源波动范围内正常运行，增强了在复杂电源环境下的适应能力。其TSOP-I 48引脚封装尺寸紧凑，便于在PCB上布局，尤其适用于空间受限的嵌入式设备。该器件具备出色的耐久性，可承受高达10万次的编程/擦除周期，远超普通消费级NAND Flash，确保在频繁更新数据的应用中长期稳定运行。
　　此外，K9G2G08UOM-PCBO内置了高效的内部管理机制，支持坏块标记与隔离功能，出厂时已标记初始坏块（通常位于前几个或后几个块），用户可通过读取特定地址获取坏块信息。芯片还支持待机模式以降低静态功耗，提升能效表现。由于其成熟的技术路线和广泛的市场应用，该型号拥有良好的供应链支持和丰富的参考资料，方便工程师进行选型、调试和量产导入。

K9G2G08UOM-PCBO因其高可靠性、工业级温度范围和较长的使用寿命，被广泛应用于对数据安全性和稳定性要求较高的领域。在工业控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块中，用于存储固件、配置参数和实时日志数据。在网络通信设备如路由器、交换机和防火墙中，该芯片可用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统镜像及配置文件，确保设备在恶劣环境下仍能可靠启动和运行。
　　在嵌入式终端设备中，例如POS机、自助服务终端、智能仪表和条码扫描器，K9G2G08UOM-PCBO提供了足够的存储空间来保存应用程序和交易记录，同时其SLC特性保证了频繁写入操作下的数据完整性。医疗电子设备，如便携式监护仪、超声设备和诊断仪器，也普遍采用此类工业级NAND Flash，以满足长时间连续运行和数据不可丢失的要求。
　　此外，该芯片还可用于汽车电子系统，包括车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪和ADAS辅助驾驶模块，尤其是在非AEC-Q100认证但需工业级性能的次级系统中表现出色。在军工和航空航天领域，尽管可能需更高等级筛选，但其基本型号仍可作为基础存储组件用于测试设备或地面支持系统。总之，凡是需要非易失性、高耐久、宽温工作的嵌入式存储场景，K9G2G08UOM-PCBO都是一个值得信赖的选择。

MT29F2G08ABAEAWP-IT: Micron出品的兼容型2Gb x8 SLC NAND Flash，TSOP封装，参数高度相似，可用于替代；
　　KTF2G14UQM-PCBO：三星同系列不同批次或版本，功能兼容；
　　ISL29GL256P1xME000R：Intersil（现瑞萨）提供的工业级NAND Flash，类似规格；
　　W29GL02GC0IZB6E：Winbond推出的2Gb SLC NAND Flash，兼容性良好，支持宽温应用