时间：2025/6/11 18:47:19
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CL31B472KHFSFNE 是一款高性能的低压 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率、高密度的电源管理系统。
该芯片设计为 N 沟道增强型场效应晶体管，能够提供卓越的电流承载能力和耐热性能，非常适合用于消费电子、工业设备以及汽车电子等领域。
型号：CL31B472KHFSFNE
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：68A
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ
总功耗（Ptot）：21W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷（Qg）：9nC
反向恢复时间（trr）：20ns
CL31B472KHFSFNE 提供了以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 热稳定性良好，确保在高温环境下仍能保持高性能。
5. 小型封装设计，节省 PCB 空间，同时具备出色的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足现代电子产品对环保的要求。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换应用，如 USB 充电器、适配器等。
5. 汽车电子系统的电池保护和负载管理。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
CL31B472KHFSFNH, IRFZ44N, FDP177N10SBD, AO3400
