容量：8Gb（1GB）
　　电压：1.8V / 3.3V
　　封装：TSOP
　　接口：ONFI 2.3
　　工艺：3D NAND
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大30MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H5AN8G4NMFR-UH 是一款高性能的NAND闪存芯片，采用先进的3D NAND技术，具有较高的存储密度和稳定性。其低功耗设计使其非常适合用于电池供电设备和对能耗敏感的应用场景。
　　该芯片支持ONFI 2.3标准接口，确保与主控芯片的兼容性与高效通信。读写速度方面，其最大读取速度可达50MB/s，写入速度为30MB/s，能够满足大多数嵌入式系统和数据存储应用的需求。
　　此外，H5AN8G4NMFR-UH 具有较强的温度适应能力，工作温度范围为-40°C 至 +85°C，适用于工业级环境下的稳定运行。其TSOP封装形式有助于减少PCB布局的复杂性，并提供良好的散热性能。
　　该芯片还内置错误校正码（ECC）功能，能够自动检测并纠正数据读取过程中的错误，提高数据的可靠性。同时，其块擦除机制支持快速擦除操作，擦除时间约为2ms，有助于提升整体存储系统的运行效率。
　　总的来说，H5AN8G4NMFR-UH 是一款集高性能、低功耗和高可靠性于一身的NAND闪存芯片，适用于多种存储解决方案。

H5AN8G4NMFR-UH 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、数据记录仪、手持设备、智能卡、数字家电以及各种便携式电子产品中。由于其良好的稳定性和低功耗特性，也适用于车载电子系统和物联网（IoT）设备中的存储模块设计。

H5AN8G4NMFR-UH 可以使用以下型号进行替代：H5AN8G4NMFR-UH9（更高频率版本）、H5AN8G4NMA-UH（相似封装但容量不同）、H5AN8G4NMFR-AC（具有不同速度等级）