型号：CL31B333KHHNFNE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/外壳：0805（2012公制）
　　电容：33nF（33000pF）
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（在-55°C至+125°C之间）
　　安装类型：表面贴装（SMD/SMT）
　　端接类型：镍障层，锡覆盖（Ni-Sn）
　　产品生命周期：活跃（Active）
　　应用等级：通用 / 工业级
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　是否含卤素：否

CL31B333KHHNFNE采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由交替堆叠的陶瓷介质与内电极构成，形成高密度电容结构。其使用的X7R型陶瓷材料具有优异的温度稳定性和较低的电容随温度漂移特性，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等普通介电材料，因此特别适用于需要稳定电性能的应用场景。该器件具备良好的频率响应特性，在较宽的频率范围内保持低阻抗，使其在去耦和旁路应用中能有效抑制电源噪声和高频干扰。
　　该MLCC采用镍阻挡层和外部镀锡端子结构，不仅增强了焊接可靠性和耐热冲击能力，还能有效防止银迁移现象的发生，从而提升长期使用中的可靠性。其0805封装尺寸在空间利用率与自动化贴装兼容性之间实现了良好平衡，广泛适配现有SMT生产线，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式。此外，该产品经过严格的质量控制流程，符合AEC-Q200等可靠性标准的部分要求，适用于对寿命和稳定性有较高需求的工业和车载环境。
　　CL31B333KHHNFNE还具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性，有利于在高频下实现高效的能量存储与释放，减少发热损耗，提升系统效率。由于其非极化特性，可在交流信号路径中安全使用，常用于滤波电路、定时电路及耦合/去耦网络中。整体而言，这款电容器结合了高性能、高可靠性和环保合规性，是现代电子设计中理想的被动元件选择之一。

CL31B333KHHNFNE因其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围，被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能电视和可穿戴设备中，该电容器常用于电源去耦、DC-DC转换器输入输出滤波以及IC供电引脚的旁路处理，有效平滑电压波动并抑制高频噪声。在通信设备中，包括路由器、交换机和基站模块，它用于信号路径的耦合与滤波，确保数据传输的稳定性与完整性。
　　在工业控制系统中，例如PLC、传感器模块和人机界面设备，该MLCC可用于电源管理单元和模拟前端电路，提供可靠的储能与滤波功能，增强系统抗干扰能力。此外，在汽车电子领域，尽管该型号未明确标称为AEC-Q200认证产品，但仍可用于非关键性的车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源系统中，发挥其高温耐受性和长期稳定性优势。
　　在电源适配器、LED驱动电源和开关电源（SMPS）中，CL31B333KHHNFNE可用于噪声滤波和瞬态响应优化，帮助满足电磁兼容（EMC）要求。同时，由于其符合RoHS和无卤素规范，也适用于对环保要求严格的出口型电子产品设计。总体来看，这是一款通用性强、适应面广的高性能陶瓷电容，适合各类对电性能稳定性有一定要求的中高端电子系统设计。

GRM21BR71H333KA01L
　　CL21B333KBHNFNE
　　C2012X7R1H333K