输出电压：1.8V（固定输出）
　　输入电压范围：2.3V至5.5V
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值35μA
　　PSRR（@1kHz）：70dB
　　输出电压精度：±1.5%
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：5-DFN

SG2007-1.8XN5/TR采用了先进的CMOS工艺，具有极低的静态电流，使其在电池供电设备中能够有效延长电池寿命。其高PSRR特性（在1kHz下可达70dB）能够有效抑制输入电源中的噪声和纹波，提供更干净的输出电压。该LDO还具备快速瞬态响应能力，能够迅速适应负载电流的变化，确保输出电压稳定。
　　此外，SG2007-1.8XN5/TR集成了多种保护功能，包括过温保护（OTP）和过流保护（OCP），防止器件在异常工作条件下损坏。其小型DFN封装不仅节省空间，还具备良好的热性能，适用于高密度PCB布局。
　　该器件的输出电压为固定1.8V，适用于为低功耗MCU、传感器、射频模块和便携式电子产品中的数字或模拟电路供电。其宽输入电压范围（2.3V至5.5V）使其能够兼容多种电源适配器、电池组和其他电源管理系统。

SG2007-1.8XN5/TR广泛应用于需要稳定、低噪声电源的电子设备中。典型应用包括物联网（IoT）设备、可穿戴设备、无线传感器节点、便携式医疗设备、工业控制系统以及各类低功耗嵌入式系统。由于其高PSRR和低噪声特性，它特别适合用于为射频收发器、音频放大器、ADC/DAC等对电源噪声敏感的电路提供电源调节。

SG2007-1.8XN5/TR的替代型号包括SGM2034-1.8YFD5G、LM1117-1.8和TPS767D301。这些器件在性能和封装上与SG2007-1.8XN5/TR相近，但具体选型需根据应用需求进行评估。