时间：2025/11/12 19:29:15
阅读：21
CL31B225KBHNNNF 是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C系列，专为高性能和高可靠性应用设计。CL31B225KBHNNNF 的标称电容值为2.2μF（微法），额定电压为50V DC，采用X7R介电材料，具有良好的温度稳定性和频率响应特性。其封装尺寸为1210（英制），即3.2mm x 2.5mm，符合EIA标准尺寸规范，适用于自动贴片装配工艺。该产品广泛应用于工业控制、通信设备、电源管理模块以及消费类电子产品中，作为去耦、滤波或旁路电容使用。CL31B225KBHNNNF 采用镍钯金（Ni-Pd）端电极结构，具备优异的抗硫化性能和焊接可靠性，适合在严苛环境条件下长期稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质，支持无铅回流焊工艺。由于其高容量密度和小尺寸封装，在空间受限的设计中具有显著优势。
电容：2.2μF
额定电压：50V DC
介电材料：X7R
温度特性：±15%（-55°C 至 +125°C）
封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
电容容差：±10%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
介质类型：陶瓷
安装类型：表面贴装（SMD）
端接类型：镍钯金（Ni-Pd）
抗硫化能力：有
符合标准：RoHS, AEC-Q200（部分等级）
CL31B225KBHNNNF 具备出色的温度稳定性与直流偏压特性，能够在宽温范围内保持电容值的相对稳定，适用于对信号完整性要求较高的电路系统。X7R介电材料确保了其在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容变化率控制在±15%以内，满足大多数工业级和汽车级应用需求。尽管存在一定的直流偏压效应——即施加电压后实际可用电容会有所下降，但相较于Y5V等材料，X7R仍表现出更优的稳定性。该器件采用先进的叠层结构制造工艺，实现高电容密度的同时维持较小的物理体积，有利于提高PCB布局效率并减少整体设计空间占用。
在可靠性方面，CL31B225KBHNNNF 采用镍钯金端电极技术，有效防止因环境中硫化物引起的电极腐蚀问题，从而提升产品在恶劣工况下的使用寿命和稳定性。这种抗硫化设计特别适用于工业自动化、户外通信基站或汽车电子等可能存在高浓度硫化气体的应用场景。同时，其端子与基板之间的结合强度高，能够承受多次热循环冲击和机械振动，确保焊接点的长期可靠性。
该电容器支持现代SMT贴片工艺，兼容无铅回流焊流程，峰值温度可达260°C，适应主流生产工艺要求。低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）使其在高频去耦和电源噪声抑制方面表现良好，常用于开关电源输出滤波、DC-DC转换器输入旁路以及模拟前端信号路径中的耦合与去耦。此外，该型号通过严格的品质管控流程生产，具备高度的一致性和批次稳定性，适合大规模量产使用。
CL31B225KBHNNNF 广泛应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子系统中。典型应用场景包括工业控制单元中的电源去耦与滤波电路，用于平滑电压波动并降低电磁干扰；在通信设备如基站、路由器和光模块中，作为高速信号链路的旁路电容，提供稳定的局部能量供应；在汽车电子系统中，可用于车身控制模块、信息娱乐系统及辅助驾驶系统的电源管理部分，满足AEC-Q200对被动元件的部分可靠性要求；此外，在医疗仪器、测试测量设备以及消费类电子产品如高端电视、机顶盒和电源适配器中也有广泛应用。由于其具备抗硫化能力和宽温工作特性，尤其适合部署在高温、高湿或污染较重的环境中，保障系统长期稳定运行。
[
"CL31B225KBFNNNE",
"CL31B225KBHNNNE",
"CL21B225KBHNNNF",
"CL21B225KBFNNNE"
]
