类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏电流（ID）：-2.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.095Ω @ VGS = -4.5V；0.125Ω @ VGS = -2.5V
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

WP7-P028VA1-R6000 作为一款 P 沟道功率 MOSFET，具有多项优良特性，确保其在各种应用场景中稳定运行。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。在 VGS = -4.5V 时，RDS(on) 仅为 0.095Ω，即使在较低的栅极驱动电压下也能保持较好的性能。
　　其次，WP7-P028VA1-R6000 的漏源电压为 -20V，能够承受较高的电压应力，适用于多种低压电源管理系统。此外，其最大连续漏电流为 -2.8A，能够满足中等功率应用的需求。
　　该器件的封装形式为 SOT-223，具有良好的散热性能和机械稳定性。SOT-223 封装是一种常用的表面贴装封装，适用于自动化生产流程，提高了 PCB 布局的灵活性和可靠性。
　　另外，该 MOSFET 具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持正常工作。其最大工作温度可达 +150°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
　　WP7-P028VA1-R6000 的栅极驱动电压范围为 ±12V，使其能够兼容多种常见的驱动电路设计。同时，其在较低的栅极电压（如 -2.5V）下仍能保持一定的导通能力，适用于低功耗微控制器驱动的应用场景。
　　综上所述，WP7-P028VA1-R6000 凭借其低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能，成为多种电源管理和开关控制应用的理想选择。

WP7-P028VA1-R6000 主要应用于以下几个领域：
　　1. **电源管理系统**：由于其低导通电阻和高效率的特性，该 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、电池充电器和负载开关控制电路中，以提高整体能效。
　　2. **消费类电子产品**：如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中，用于电源管理模块和负载切换控制。
　　3. **工业控制设备**：包括 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和工业自动化设备中的电源开关和负载管理。
　　4. **汽车电子系统**：如车载信息娱乐系统、电动助力转向系统（EPS）和其他车载电源管理系统，满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的需求。
　　5. **LED 照明系统**：用于 LED 驱动电路中的开关控制，实现高效能的照明解决方案。
　　总之，该器件凭借其优异的电气性能和稳定的封装结构，适用于多种中低功率电子系统。

Si2301DS, FDN340P, BSS84