ZGC030TD44K550G5-A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款功率MOSFET芯片通过优化栅极电荷和输出电容参数,确保在高频率操作时保持较低的开关损耗。同时,其坚固的设计也使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行,例如高温或高湿度环境。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:550V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:16A(@25°C)
导通电阻Rds(on):0.44Ω(典型值,@Vgs=10V)
总栅极电荷Qg:37nC
输入电容Ciss:1800pF
输出电容Coss:59pF
反向恢复时间Tr:45ns
工作结温范围Tj:-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻,在高电流应用中减少功耗。
2. 快速开关速度,降低开关损耗并支持更高的工作频率。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型封装设计,节省PCB空间,适合紧凑型设计需求。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 具备出色的热性能,可有效管理芯片在高负载条件下的温度上升。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 太阳能逆变器中的功率开关。
4. 工业电机驱动和控制电路。
5. LED照明镇流器及驱动电源。
6. 电池充电器及保护电路中的功率开关元件。
7. 电磁炉、微波炉等家电设备中的功率控制单元。
ZGC030TD44K550G5-B, IRFP460, FQP17N50