电容值：10nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C至+125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：EIA 0805（2.0mm × 1.25mm）
　　介质材料：陶瓷（X7R类II）
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流耐压：50V DC
　　绝缘电阻：≥4GΩ·μF 或 ≥500MΩ（取较小值）
　　最大纹波电流：依据实际应用条件而定
　　老化率：≤2.5%/decade
　　结构：多层陶瓷片式电容器（MLCC）

CL31B103KHFNMPE具备优异的温度稳定性和长期可靠性，其X7R介电材料确保在-55°C到+125°C的宽温度范围内电容值变化控制在±15%以内，适用于对稳定性有一定要求但无需精密补偿的应用场景。
　　该电容器采用镍阻挡层端子设计，显著提升了抗硫化性能，在含硫气体浓度较高的工业或户外环境中能有效防止内部银电极被硫化导致的开路失效，延长了产品的使用寿命。
　　其0805（2012）封装尺寸在体积与焊接可靠性之间实现了良好平衡，既满足小型化需求，又便于自动化贴片生产，并具备较好的机械强度和热循环耐受能力。
　　CL31B103KHFNMPE的50V额定电压使其适用于中等电压电源线路的去耦和滤波，例如为IC供电引脚提供瞬态电流支持，抑制高频噪声传播，提升系统EMI性能。
　　作为II类陶瓷电容器，虽然其电容值会随偏置电压略有下降（即直流偏压效应），但在多数非精密模拟电路中表现足够稳定。
　　产品经过严格的制造流程控制，符合AEC-Q200标准的部分测试项目，可用于部分车载电子模块；同时满足RoHS和REACH环保要求，不含重金属和有害物质，支持绿色电子产品设计。
　　此外，该型号具有低等效串联电阻（ESR）和良好的高频响应特性，适合用于开关电源输出滤波、音频信号耦合及数字逻辑电路的电源旁路等场合，整体性价比高，供货稳定，广泛应用于各类主流电子设备中。

该电容器常用于电源管理电路中的输入/输出滤波，为DC-DC转换器、LDO稳压器提供稳定的电压供应，减少电压波动和噪声干扰。
　　在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚处作为去耦电容使用，吸收瞬态电流尖峰，维持局部电源轨的稳定性，防止因电源扰动引起的误操作或系统复位。
　　也可应用于信号链路中的交流耦合，例如在音频放大器或运算放大器之间传递交流信号并阻隔直流分量，确保信号传输的完整性。
　　在通信接口电路（如USB、RS-232、Ethernet PHY）中用于噪声抑制和电磁兼容性（EMC）优化，提升系统的抗干扰能力。
　　由于其良好的温度特性和抗环境应力能力，也适用于工业自动化设备、传感器模块、智能仪表以及汽车电子控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统等严苛工作环境下的滤波与旁路任务。

GRM21BR71H103KA01L
　　CC0805KRX7R9H103
　　C2012X7R1H103K