时间：2025/5/7 10:36:27
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FDD8444是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封装形式。该器件适用于多种高频开关和电源管理应用场合，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力的特点。它广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：31A
导通电阻(Rds(on))：1.7mΩ
总栅极电荷(Qg)：20nC
输入电容(Ciss)：1090pF
输出电容(Coss)：155pF
反向传输电容(Crss)：35pF
工作温度范围(Tj)：-55℃至175℃
FDD8444具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小尺寸DFN5x6-8封装，便于PCB布局和散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
6. 优秀的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
FDD8444主要应用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. LED驱动器中的高效开关元件。
6. 各种需要高频、高效切换的场合。
FDS8444N, IRF8444, Si7844DP
