20N80 时间：2025/8/6 2:55:51 阅读：36

20N80是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。它具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力的特点，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.22Ω（最大值0.27Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

特性

20N80 MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。
　　首先，其高漏源击穿电压（800V）使其适用于高电压工作环境，例如在高压电源和工业控制设备中使用。
　　其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.22Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，其最大连续漏极电流为20A，具备较高的功率处理能力，可满足中高功率应用的需求。
　　20N80的封装形式通常为TO-220或TO-3P，这些封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，确保在高功率运行时的可靠性。
　　栅极阈值电压范围为2V至4V，使其适用于多种驱动电路，包括常见的5V和10V栅极驱动器。
　　整体来看，20N80是一款性价比高、可靠性强的功率MOSFET，适用于多种电力电子系统。

应用

20N80常用于多种高功率和高电压应用场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备较高的漏源耐压能力，因此在需要处理较高电压的场合中表现出色。例如，在LED照明电源、高压直流供电系统以及家用电器的电源管理部分，20N80都能提供稳定可靠的功率控制性能。此外，其良好的散热设计也使其适用于紧凑型功率模块和嵌入式系统。