电容：22μF
　　额定电压：50V
　　电介质材料：X7R
　　温度特性：±15%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　尺寸代码（英制）：1210
　　尺寸代码（公制）：3225
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　电容容差：±20%
　　最大厚度：2.5mm
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降，符合X7R典型特性
　　抗湿性：符合IEC 61249-2-21标准
　　耐焊接热：符合J-STD-020标准

CL31A226MAHNNNE采用先进的叠层陶瓷工艺制造，内部由数十至数百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积下的电容密度。其使用的X7R电介质材料具有优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C范围内电容变化率不超过±15%，适合对温度敏感的应用环境。尽管X7R不属于Class 1（如C0G/NP0）的超稳定介质，但其在成本与性能之间实现了良好平衡，特别适用于去耦和旁路应用。该器件的22μF大容量在1210封装中属于较高水平，得益于三星电机在薄层陶瓷成型和高精度印刷技术上的突破，实现了在有限空间内最大化电容值。值得注意的是，MLCC的电容值会随着施加的直流偏置电压上升而下降，CL31A226MAHNNNE在接近50V额定电压时实际电容可能仅为标称值的60%-70%，因此在电路设计中需参考厂商提供的DC bias曲线进行降额使用。
　　该器件具备良好的高频响应特性，等效串联电阻（ESR）较低，有助于提高电源系统的瞬态响应能力并减少发热。同时，其等效串联电感（ESL）也较小，有利于在较宽频率范围内有效滤除噪声。CL31A226MAHNNNE采用镍/锡外电极结构，具有良好的可焊性和长期可靠性，符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊接工艺。其结构坚固，机械强度高，能承受PCB弯曲和热循环应力，但在高机械应力环境中仍需注意避免因板弯导致裂纹。此外，由于大容量MLCC存在微音效应（microphonics）和电压系数效应，不适合用于精密模拟信号路径或需要极高线性的场合。总体而言，CL31A226MAHNNNE是一款综合性能优良、适用范围广泛的多层陶瓷电容器，尤其适合用于开关电源输出滤波、IC电源引脚去耦、DC-DC转换器输入储能等场景。

该器件广泛应用于需要中高容量滤波和稳定电源供应的电子系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品的电源管理单元，用于处理器、内存和射频模块的电源去耦。在通信基础设施中，如基站、光模块和路由器，CL31A226MAHNNNE可用于稳定供电电压，抑制高频噪声干扰。工业控制系统中的PLC、传感器模块和人机界面也常采用此类电容以提升系统抗干扰能力和运行稳定性。此外，在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS控制器和车身控制模块，该电容可在较宽温度范围内可靠工作，满足AEC-Q200等部分可靠性标准要求。在医疗电子、测试测量仪器和工业电源中，该器件同样发挥着关键作用，确保电源质量与信号完整性。由于其表面贴装特性，特别适合高度自动化的SMT生产线，有助于提高生产效率和产品一致性。

GRM32DR71H226KA12L
　　C3225X7R1H226K160AC
　　ECJ-3YB1H226M
　　CL31B226MPHNNNE
　　TC-322512-X7R-50V-22UF