类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（最大值，Vgs = 10V）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252AA（DPAK）

BZW04-256BHR0G 具备多项出色的电气和热性能特性，使其适用于高功率密度和高效率的功率转换应用。
　　首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）最大为 2.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。在高电流条件下（如 120A），这种低电阻特性尤为重要，有助于减少发热并提升可靠性。
　　其次，BZW04-256BHR0G 支持高达 ±20V 的栅源电压（Vgs），使其能够与多种驱动电路兼容，包括标准的 12V 和 10V 栅极驱动器。这为设计人员提供了更大的灵活性，并有助于优化开关性能。
　　此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽式 MOS 技术，提供了优异的开关性能。其快速的开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频操作环境，如同步整流、DC-DC 转换器等。
　　该器件的 TO-252AA（DPAK）封装不仅支持表面贴装工艺，还具备良好的热管理能力。其高功耗能力（250W）确保在高负载条件下仍能保持稳定运行，同时支持在恶劣环境条件下（如高温）下工作。
　　最后，BZW04-256BHR0G 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车级应用，能够应对严苛的环境挑战。

BZW04-256BHR0G 由于其高电流处理能力、低导通电阻和优异的热性能，广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中。
　　首先，它常用于 DC-DC 转换器和同步整流电路中，作为主开关或同步整流器使用。其低 Rds(on) 和快速开关特性可显著提高转换效率，特别是在高频率下运行时。
　　其次，该器件非常适合用于电源管理系统，如服务器电源、电信设备电源、电池充电器等。其高电流能力和良好的热管理性能使其能够稳定运行于高负载条件下。
　　此外，BZW04-256BHR0G 也广泛用于电机控制和负载开关应用。例如，在工业自动化系统中，它可以作为高侧或低侧开关，控制大功率电机或执行器的启停。
　　该器件还适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）。其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车应用对耐久性和稳定性的严格要求。
　　最后，在电池供电设备中，BZW04-256BHR0G 可用于降低功率损耗，延长电池寿命，特别是在需要高效率的便携式设备中。

SiR142DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF1404ZPBF