时间：2025/11/12 21:29:02
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CL21C470JBANNNL是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C0G（NP0）温度特性系列，具有极高的稳定性与可靠性，广泛应用于对电容值稳定性要求严苛的电路中。CL21是其尺寸代码，对应于EIA标准的0805封装（2.0mm x 1.25mm），适用于表面贴装技术（SMT），在现代高密度PCB布局中非常常见。该电容器的标称电容值为47pF（470表示47×10^0 pF），额定电压为50V DC，电容公差为±5%（J级），采用C0G介质材料，确保在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值变化不超过±30ppm/°C，几乎无老化现象，且不受电压、频率和时间的影响。CL21C470JBANNNL常用于高频滤波、射频匹配网络、振荡器电路、精密定时电路以及模拟信号处理等场景。其结构采用端电极镍阻挡层和外覆锡层设计，具备良好的可焊性和抗热冲击能力，符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q200等可靠性认证，适合在汽车电子、工业控制及通信设备中使用。
型号：CL21C470JBANNNL
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
电容值：47pF
容差：±5%
额定电压：50V DC
介质材料：C0G (NP0)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度系数：0 ±30ppm/°C
产品等级：工业级/汽车级
安装类型：表面贴装（SMD）
端接类型：镍锡（Ni-Sn）
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
CL21C470JBANNNL所采用的C0G（NP0）陶瓷介质是目前已知最稳定的电介质之一，能够在极宽的温度、电压和频率范围内保持极其稳定的电容性能。其温度系数仅为0±30ppm/°C，在-55°C到+125°C的工作区间内，电容值的变化微乎其微，远优于X7R、Y5V等其他类别介质，因此特别适用于需要高精度和低漂移的电路应用。这种电容器不会因施加直流偏压而出现明显的容量下降，也不会随着交流信号频率的升高而显著改变容抗特性，这使得它在高频射频电路和精密模拟前端中表现卓越。此外，C0G材质不具铁电性，因此没有滞后效应或介电吸收问题，非常适合用于采样保持电路、积分器和高保真音频路径。
该器件的机械结构经过优化设计，具备优异的抗热循环能力和耐焊接热冲击性能。其内部电极采用薄层交错堆叠工艺，结合高纯度陶瓷介质烧结而成，有效降低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升高频响应能力。端电极为双层金属化结构，内层为镍作为阻挡层防止银迁移，外层为锡提供良好可焊性，支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺。CL21C470JBANNNL还具有出色的长期稳定性，电容值几乎不会随时间发生老化，使用寿命可达数十年。由于其高度可靠性和环境适应性，该器件被广泛用于汽车电子控制系统（如ECU、传感器接口）、医疗仪器、测试测量设备以及航空航天电子产品中。同时，该型号通过了严格的可靠性测试流程，包括高温存储、温湿度偏压、温度循环和机械冲击等试验，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
CL21C470JBANNNL因其卓越的电气稳定性和高频性能，广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频（RF）电路中，它常用于LC谐振回路、阻抗匹配网络和带通滤波器，以确保信号传输的精确性和效率；在无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝基站和卫星通信设备中，该电容能够维持频率稳定性，防止因温度波动导致的频偏问题。在精密模拟电路中，例如运算放大器反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC参考电压旁路，其低噪声和零电压系数特性有助于提高系统线性度和信噪比。该器件也常见于时钟振荡器电路中，配合石英晶体使用，起到负载电容的作用，确保振荡频率的高度准确和长期稳定。在汽车电子领域，该电容器被应用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和电池管理系统中，满足AEC-Q200标准对被动元件的严苛要求。此外，在工业自动化、医疗成像设备、精密测量仪器以及高端消费类电子产品中，CL21C470JBANNNL也发挥着关键作用，保障系统在复杂电磁环境和宽温条件下可靠运行。由于其无磁性、低损耗和高绝缘电阻的特点，该器件还可用于高灵敏度探测器和低功耗物联网节点中，作为去耦、滤波或耦合元件使用。
GRM21BR71H470KA01L
CC0805JRNPO9BN470
C2012JB1H470J060TA
