时间：2025/11/13 17:08:05
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CL21B475KAFNNNG是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于X7R介电材料系列，具有良好的温度稳定性和较高的容值密度，适用于多种工业、消费类电子及通信设备中的去耦、滤波和旁路应用。CL21是其尺寸代码，对应于国际电工委员会（IEC）标准的0805封装（即2.0mm x 1.25mm），便于在高密度PCB布局中使用。该电容器的标称电容为4.7μF（475表示47×10^5 pF），额定电压为16V DC，容差为±10%（K级），采用无磁性镍/钯/金端接结构（Ni-Pd-Au），具备优良的焊接可靠性和长期稳定性。由于其采用了先进的叠层工艺和陶瓷介质技术，CL21B475KAFNNNG在小型化的同时实现了较大容量，在电源管理单元、DC-DC转换器输入输出端以及信号耦合电路中表现优异。此外，该产品符合RoHS环保要求，不含铅、镉等有害物质，并通过AEC-Q200等可靠性认证，适用于对可靠性要求较高的应用场景。
型号：CL21B475KAFNNNG
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0805 (CL21)
电容值：4.7μF
容差：±10%
额定电压：16V DC
介电材料：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：±15% within -55°C to +125°C
直流偏压特性：随电压增加电容略有下降（典型值在16V下约为初始值的70~80%）
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥10000S·μF
耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
端接类型：Ni-Pd-Au（无铅）
安装方式：表面贴装（SMD）
包装形式：卷带编带，适用于自动贴片机
CL21B475KAFNNNG作为一款高性能多层陶瓷电容器，其核心优势在于在小尺寸封装内实现了相对较大的电容值。这得益于三星电机先进的薄层陶瓷成型技术和高介电常数材料的优化应用。X7R介电体系确保了器件在宽温度范围内（-55°C至+125°C）保持稳定的电容性能，变化率控制在±15%以内，远优于Y5V等材料，使其适用于对温度敏感的应用场景。
该器件具备出色的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时，仍能保留较高比例的有效电容，这对于现代低电压、高电流的电源系统至关重要。例如，在16V工作电压下，其有效电容通常可维持在3.3～3.8μF之间，显著高于同类竞品中的某些低端型号。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频去耦和噪声抑制方面表现出色，特别适合用于开关电源输出滤波、微处理器供电引脚旁路等场合。
Ni-Pd-Au端接结构不仅提供了优异的可焊性与抗热冲击能力，还增强了器件在潮湿环境下的可靠性，防止因银离子迁移导致的短路风险。该结构也支持回流焊工艺的多次加热而不影响电气性能。此外，该电容器具有良好的机械强度，能够抵抗PCB弯曲和振动带来的应力，降低裂纹产生概率。整体设计兼顾了小型化、高可靠性与功能性，广泛应用于工业控制模块、网络通信设备、医疗电子、汽车电子（非动力系统）等领域。
CL21B475KAFNNNG广泛应用于各类需要稳定大容量滤波的电子电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）的输入和输出滤波电容，用于平滑电压波动并减少传导噪声；在DC-DC转换器中作为输入储能和输出稳压元件，尤其适用于12V或5V转3.3V、1.8V等低压系统的供电路径；也可用于现场可编程门阵列（FPGA）、微控制器单元（MCU）和数字信号处理器（DSP）的电源引脚去耦，提供瞬态电流响应，维持芯片供电稳定。
此外，该器件可用于模拟前端电路中的耦合与旁路，隔离直流分量同时传递交流信号；在传感器信号调理电路中起到滤除高频干扰的作用；在接口保护电路中配合TVS管使用，提升系统电磁兼容性（EMC）表现。由于其符合AEC-Q200标准，也可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块、ADAS辅助系统中的非高温区域。在工业自动化设备、PLC控制器、物联网网关等长期运行且环境复杂的系统中，该电容凭借其高可靠性成为优选方案。
GRM21BR71C475KA01D
CL21B475KBANNNC
C2012X7R1C475K
