时间：2025/11/12 20:37:26
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CL21C2R4CBANNNC是韩国三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC，Multilayer Ceramic Capacitor）。该器件属于表面贴装型（SMD）电容，广泛应用于各类消费类电子、通信设备、计算机主板及便携式电子产品中。该型号遵循EIA标准命名规则，其封装尺寸为0805（英制），即公制尺寸2012（2.0mm x 1.25mm），额定电容值为2.4pF，适用于高频电路中的耦合、去耦、滤波和阻抗匹配等应用。CL21系列具有高可靠性、低损耗和良好的温度稳定性，采用X7R或类似介电材料制成，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电性能。该电容器无极性，适合自动化贴片工艺，符合RoHS环保要求，是现代高密度PCB设计中的常用元件之一。
产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
电容值：2.4pF
容差：±0.25pF（B级）
额定电压：50V DC
介电材质：C0G（NP0）
温度特性：0±30ppm/°C（-55°C 至 +125°C）
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥100GΩ 或 R×C ≥ 5000Ω·F（取较小值）
耐久性：在额定电压和125°C下持续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的±15%
焊接方式：回流焊（适用于无铅工艺）
端电极材料：镍阻挡层 + 锡覆盖层，具备良好的可焊性和抗热冲击能力
CL21C2R4CBANNNC采用C0G（也称NP0）陶瓷介质，具有极其优异的电容量稳定性。C0G材料是一种Ⅰ类陶瓷介质，其最大特点是在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论环境温度如何波动，电容器的电容值几乎不会发生漂移，非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器、谐振电路以及射频匹配网络中。
该器件具有非常低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%），保证了在高频应用下的高效能表现，减少了能量损耗和发热问题。由于没有铁电材料成分，C0G电容器不表现出电压依赖性，即施加直流偏压时电容值基本不变，这一点显著优于X7R、Y5V等Ⅱ类陶瓷电容器。此外，CL21C2R4CBANNNC具备优良的长期稳定性，老化率为零，不会随时间推移而发生电容衰减。
结构上，该MLCC由多个交错堆叠的陶瓷介质与内电极构成，实现了小体积下的高可靠性。其0805封装形式兼顾了自动贴片的便利性与一定的机械强度，适用于高密度PCB布局。产品通过AEC-Q200认证的可能性较高，适合工业级与部分汽车电子应用。端头电极为三层电镀结构（铜/镍/锡），增强了抗热疲劳和抗湿性能，确保在多次回流焊过程中仍保持良好可焊性。整体设计符合无铅焊接工艺要求，满足RoHS与REACH环保指令。
CL21C2R4CBANNNC因其出色的温度稳定性和低损耗特性，广泛应用于高频模拟电路和精密定时系统中。常见用途包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，如手机、无线路由器、蓝牙和Wi-Fi模块中的LC谐振电路，用于确保信号传输的准确性和稳定性。在振荡器电路中，例如与石英晶体或SAW器件配合使用的负载电容，该电容器能够提供精确且稳定的电容值，从而保障振荡频率的准确性。
此外，该器件也常用于高性能模拟滤波器、ADC/DAC参考电路、传感器接口电路以及测试测量设备中需要高精度电容的场合。在电源管理单元中，可用于高频去耦，特别是在低噪声LDO或PLL供电路径中，抑制高频噪声干扰。由于其不受电压偏置影响，因此在需要线性响应的跨导放大器或有源滤波器中也被优先选用。工业控制、医疗电子、通信基站和汽车电子中的ADAS系统等对可靠性要求较高的领域也是其典型应用场景。
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