类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.022Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：95nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

QLP600CYTR 具备一系列高性能特性，首先是其低导通电阻 RDS(on)，这使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的高电流承载能力（最大 ID 为 50A）使其适用于高功率密度的设计。该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　该器件采用了先进的平面技术与沟槽工艺相结合的设计，从而在导通损耗与开关损耗之间取得了良好的平衡。此外，TO-263 封装不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和系统的可靠性。该封装形式也便于在 PCB 上布局并与其他功率器件并联使用，以进一步提升电流能力。
　　QLP600CYTR 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而提高了器件在严苛环境中的耐用性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于高温和高可靠性要求的应用场景，如工业控制、汽车电子和通信设备。

QLP600CYTR 主要用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。由于其高电流能力和低导通电阻，该 MOSFET 在开关电源（SMPS）中特别适合用于降压（Buck）或升压（Boost）转换器的主开关。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路以及 LED 照明驱动电路。此外，在工业自动化设备中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和不间断电源（UPS），QLP600CYTR 也能提供稳定可靠的功率控制解决方案。
　　由于其表面贴装封装形式，QLP600CYTR 也广泛用于需要自动化生产的消费类电子产品，例如高性能笔记本电脑适配器、智能功率插座以及多路输出电源系统。

IRF640N, FDP6030BL, IPB60R150C5, STP55NF06L