IRFR6215PBF是一款由Infineon Technologies制造的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高功率密度的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各种高效率功率转换系统中。IRFR6215PBF采用了符合RoHS标准的环保封装,且不含卤素,适用于工业级工作温度范围(-55°C至175°C)。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id)@25°C:120A
导通电阻Rds(on)@Vgs=10V:4.8mΩ
导通电阻Rds(on)@Vgs=4.5V:7.5mΩ
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:PowerPAK SO-8
IRFR6215PBF具备多项优异的电气和热性能特性。其采用的Trench沟槽技术显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。该器件在Vgs=10V时,Rds(on)仅为4.8mΩ,非常适合需要高效能和低损耗的高电流应用。此外,其高电流容量(120A)和良好的热管理能力使其能够在高负载条件下稳定运行。
在可靠性方面,IRFR6215PBF的栅极氧化层设计具有很高的耐用性,能够承受频繁的开关操作而不易损坏。同时,其封装结构优化了散热性能,有助于在紧凑型设计中维持良好的热稳定性。该器件还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动电路。
IRFR6215PBF的封装形式为PowerPAK SO-8,这是一种表面贴装封装,具有优良的散热性能和小尺寸优势,非常适合高密度PCB布局和自动化装配流程。该器件还符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,适用于汽车电子系统。
IRFR6215PBF广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、负载开关、同步整流器等,提升电源转换效率并减少热量产生。
2. **电机控制**:作为H桥或半桥驱动电路中的核心开关器件,用于电动工具、工业自动化和机器人控制。
3. **电池管理系统(BMS)**:在电池充放电控制电路中提供高效的功率开关功能,适用于电动车、储能系统和便携式设备。
4. **汽车电子**:包括车身控制模块、车载充电器(OBC)、电动助力转向系统等,得益于其高可靠性和符合汽车标准。
5. **工业控制**:如PLC、伺服驱动器、变频器等工业自动化设备中的功率开关应用。
SiR142DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, IRF6665TRPBF, FDS6680