类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流：400A
　　最大漏-源电压：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　额定功率：200W
　　栅极电荷：180nC
　　短路耐受能力：有
　　热阻（Rth）：0.35°C/W

HYG400P10LQ1D 模块具有多项先进特性，首先，其采用了东芝的Trench MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提升了整体能效。
　　其次，该器件具备较低的开关损耗，使得其在高频应用中表现出色，特别适合用于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器以及电动汽车充电系统等场合。
　　此外，HYG400P10LQ1D 设计有良好的热管理能力，热阻仅为0.35°C/W，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作温度，延长使用寿命。
　　该模块还具备较强的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。
　　在封装方面，采用双列直插式（DIP）结构，方便安装和散热处理，适合在高功率密度设计中使用。
　　最后，该模块的栅极电荷仅为180nC，有助于减少驱动电路的负担，提升响应速度。

HYG400P10LQ1D 适用于多种高功率电子系统和设备，尤其适合用于需要高效能、高可靠性的电力电子应用。例如，在开关电源（SMPS）中，该模块能够有效提升电源转换效率并减少发热；在电机控制和驱动系统中，它可提供快速响应和稳定输出，满足高性能驱动需求。
　　此外，该模块也广泛应用于电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和逆变器系统中，确保在高电流、高频率环境下依然保持良好性能。
　　工业自动化设备如伺服驱动器、变频器等也常采用该模块，以提升整体系统效率和稳定性。
　　由于其具备良好的短路保护能力，HYG400P10LQ1D 还适用于对安全性要求较高的应用场景，如不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器以及储能系统等。

HYG400P10LQ1B, HYT400P10LQ1D, HGTG40N100BND, IXFN400N10T