电容值：150pF
　　容差：±2%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（X7R类）
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接形式：三层端电极（Ni/Sn）
　　高度：约1.25mm
　　老化特性：典型值<2.5% / decade
　　直流偏压特性：中等，在额定电压下电容下降约15%-25%

CL21C151GBANNNC所采用的X7R介电材料赋予了它优异的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内，这使其非常适合用于需要在不同环境温度下维持性能稳定的应用场景。与Y5V或Z5U等介电材质相比，X7R在温度变化时的电容波动显著更小，因此更适合用于振荡电路、滤波网络和电源去耦等对稳定性有要求的场合。尽管其介电常数低于高K材料如Y5V，导致单位体积容量较低，但由于150pF属于小容量范围，该器件仍能实现紧凑的小型化设计。
　　该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色，能够有效抑制噪声并提供快速响应。在电源管理电路中，可用于局部去耦，减少高频干扰对敏感模拟或数字电路的影响。同时，其50V的额定电压提供了足够的安全裕度，适用于3.3V、5V乃至12V系统中的信号调理和接口保护电路。
　　机械结构方面，CL21C151GBANNNC采用坚固的陶瓷体与金属端电极结合的设计，具备良好的抗热冲击能力和耐湿性。在回流焊过程中，能承受多次高温循环而不发生开裂或分层现象。其三层端子结构（铜底层、镍阻挡层、锡外层）不仅提高了焊接可靠性，还增强了对环境中硫化物的抵抗能力，从而提升了长期使用的稳定性。此外，该器件通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子以外的一般工业级应用。
　　从电气行为来看，该电容在施加直流偏压时会表现出一定的电容衰减，这是高介电常数陶瓷材料的固有特性。但在150pF的小容量下，这种效应相对可控，不会对大多数应用场景造成显著影响。总体而言，CL21C151GBANNNC是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型MLCC，适合大批量生产使用。

CL21C151GBANNNC广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要稳定电容值和良好频率响应的电路模块里。常见用途包括各类主板、电源模块、DC-DC转换器、FPGA和ASIC的旁路与去耦网络。在高速数字电路中，该电容常被布置在芯片电源引脚附近，用于吸收瞬态电流波动，降低电源轨道上的噪声，提升系统稳定性。其0805封装既满足自动化贴片的需求，又具备较好的机械强度，适合在振动或温变较大的环境中使用。
　　在射频（RF）和无线通信设备中，该电容器可用于阻抗匹配网络、滤波器和谐振电路，因其X7R材料在中高频段具有较稳定的电抗特性。虽然不如C0G/NP0类电容那样具备零温度系数，但在非精密应用中已足够胜任。例如，在Wi-Fi模块、蓝牙模组或蜂窝通信前端电路中，可用于中频滤波或偏置电路的交流耦合。
　　此外，该器件也常见于工业控制板、医疗电子设备和消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居控制器中。在这些设备中，它承担着信号耦合、噪声抑制和电源净化的功能。由于其符合无铅工艺要求，适应现代环保法规，因此在出口型电子产品设计中尤为受欢迎。对于需要长期运行和高可靠性的应用，如网络交换机、监控系统和电源适配器，CL21C151GBANNNC也因其稳定的供货渠道和成熟的制造工艺而成为主流选择之一。

GRM21BR71H151KA01L
　　CC0805KRX7R9BB151
　　C2012X7R1H151K
　　ECJ-2VB1H151K