时间：2025/8/15 5:27:16
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P6SMBJ75A 是一款由多家厂商（如Littelfuse、ON Semiconductor等）生产的表面贴装双向瞬态电压抑制二极管（TVS）。它主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压的损害。P6SMBJ75A 的击穿电压为75V，适用于需要对中高电压进行瞬态保护的电路场合。该器件采用SMB（DO-214AA）封装，适合用于工业控制、电源管理、消费电子、通信设备等多种应用场景。
类型：双向TVS二极管
最大反向工作电压（VRWM）：75V
击穿电压（VBR）：75V ±5%
最大钳位电压（VC）：123V @ 8.1A
峰值脉冲电流（IPP）：8.1A（8/20μs波形）
最大峰值脉冲功率（PPPM）：1000W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SMB（DO-214AA）
极性：双向
P6SMBJ75A 采用先进的硅雪崩二极管技术，具备快速响应时间和高浪涌吸收能力。其响应时间通常在皮秒级别，能够在瞬态事件发生的极短时间内迅速导通，将过电压钳位到安全水平，从而有效保护后级电路。该器件的最大峰值脉冲功率可达1000W，能够承受较大的瞬态能量冲击。P6SMBJ75A 的钳位电压为123V，确保在承受8.1A的峰值电流时仍能保持较低的电压应力，从而减少对被保护器件的损害风险。此外，其双向极性设计使其适用于交流信号线路或需要对正负方向瞬态电压进行保护的场合。
P6SMBJ75A 采用SMB表面贴装封装，具有较小的封装体积，便于在PCB上布局和实现自动化生产。该封装还具备良好的散热性能，有助于提高器件在高脉冲电流下的稳定性和可靠性。由于其优异的电气特性和紧凑的设计，P6SMBJ75A 广泛应用于需要空间节省和高性能保护的场合。
该TVS二极管在正常工作状态下具有极低的漏电流，通常在微安级别以下，不会对正常电路操作造成影响。此外，它具备优异的重复使用性，即使在多次瞬态事件冲击下也能保持稳定性能，不会因单次事件而损坏或失效。
P6SMBJ75A 主要用于各种电子设备和系统中的电路保护。典型应用包括工业控制系统、电源转换模块、通信接口（如RS-232、RS-485）、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及消费类电子产品中的电源和信号线路保护。其双向极性设计使其特别适用于交流信号或需要对正负方向瞬态电压进行抑制的场合。例如，在电机驱动电路中，P6SMBJ75A 可用于吸收电机突然断电时产生的反向电动势，从而保护控制电路中的敏感元件。在电源输入端，它可以有效抑制因雷击或电网切换引起的浪涌电压，防止损坏后级DC-DC转换器或负载电路。
在通信设备中，P6SMBJ75A 可用于保护以太网接口、串口通信线路等，防止静电放电或外部电磁干扰导致的瞬态电压损坏接口芯片。此外，在工业控制系统的传感器信号输入端，该器件可以作为前端保护，防止因接插拔或外部干扰引起的电压尖峰对ADC或微控制器造成损害。对于需要长期稳定运行的设备，如安防监控系统、自动售货机、智能电表等，P6SMBJ75A 提供了一种可靠、经济的电路保护方案。
P6KE75A, SMBJ75A, 1.5KE75A
