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LM5113TME 发布时间 时间:2025/7/15 20:25:08 查看 阅读:6

LM5113TME是一款由Texas Instruments生产的高性能半桥栅极驱动器集成电路,专为高频率和高效率的功率转换应用设计。该器件集成了高端和低端栅极驱动器,适用于同步整流、DC-DC转换器、电机控制以及电源管理系统等领域。LM5113TME采用先进的CMOS工艺制造,具有出色的抗干扰能力和稳定性。

参数

工作电压范围:4.5V至20V
  输出电流能力:峰值电流高达1.2A(典型值)
  传播延迟时间:低至9ns(典型值)
  上升/下降时间:快速响应,约1.8ns
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:8引脚WSON

特性

LM5113TME的主要特性之一是其宽广的工作电压范围,从4.5V到20V,这使得它能够兼容多种电源设计需求。此外,该器件具备较高的输出驱动能力,可以快速驱动MOSFET或IGBT,从而提高系统效率并降低开关损耗。
  另一显著特点是其非常短的传播延迟时间,仅为9ns,这对于高频开关应用至关重要。同时,其上升和下降时间也非常迅速,大约为1.8ns,进一步减少了开关过程中的能量损失。
  LM5113TME还内置了欠压锁定保护功能,确保在输入电压低于安全阈值时停止驱动器输出,以防止MOSFET因栅极电压不足而损坏。这种设计提高了系统的可靠性和安全性。
  

应用

LM5113TME广泛应用于各种电力电子设备中,例如同步整流器、DC-DC转换器、电机控制器以及工业自动化系统中的电源管理模块。此外,该器件也常见于通信基础设施、消费电子产品及汽车电子领域。

替代型号

LM5116、LM5101、LM5106

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