CL21B473KBNC 时间：2025/11/12 20:59:18 阅读：11

CL21B473KBNC是一种由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于X7R介电材料系列，具有良好的温度稳定性和较高的电容密度，适用于广泛的去耦、滤波和旁路应用。其封装尺寸为0805（英制），即公制2012，适合表面贴装技术（SMT），在现代高密度PCB设计中被广泛采用。CL21B473KBNC的标称电容值为47nF（47000pF），额定电压为50V DC，具备较小的电容随温度变化的漂移特性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容变化不超过±15%。该产品采用无铅、符合RoHS标准的结构设计，适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多种领域。由于其高可靠性和稳定性，CL21B473KBNC常用于电源管理电路中的噪声抑制和信号路径中的交流旁路功能。
　　作为三星CL系列的一员，该型号具有优异的机械强度和抗热冲击性能，能够有效减少因PCB弯曲或温度循环引起的裂纹风险。此外，其端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构（Ni-Sn），增强了焊接可靠性和长期耐久性，特别适合回流焊工艺。CL21B473KBNC不具有方向性，使用方便，是模拟与数字混合电路中不可或缺的基础元件之一。

参数

型号：CL21B473KBNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：47nF (47000pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15% 电容变化
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　产品系列：CL Series
　　符合标准：RoHS compliant, Pb-free

特性

CL21B473KBNC采用X7R型陶瓷介质，这种材料以其出色的温度稳定性著称，能够在宽温范围内维持相对稳定的电容性能。在-55°C到+125°C之间，其电容值的变化被严格控制在±15%以内，远优于Y5V等其他介电材料，因此非常适合对电容稳定性要求较高的应用场景，如定时电路、振荡器旁路和反馈网络。该特性使其在环境温度波动较大的工业或户外设备中表现优异。
　　该电容器的电容值为47nF，属于中等容量范围，结合50V的额定电压，使其能够在多种电源轨（如5V、12V、24V系统）中安全运行。±10%的容差意味着实际电容值落在42.3nF至51.7nF之间，这一精度足以满足大多数非精密模拟电路的需求，同时兼顾成本与性能平衡。0805封装提供了比0603更大的爬电距离和更高的耐压能力，同时仍保持较小的占板面积，有利于提高PCB布局的灵活性。
　　结构上，CL21B473KBNC采用多层叠层设计，内部由数十甚至上百层陶瓷与金属电极交替堆叠而成，从而在小体积下实现较大电容。这种结构也赋予其较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），有助于提升高频去耦效率，有效滤除开关电源产生的高频噪声。其Ni/Sn端子具有良好的可焊性，并能抵抗多次回流焊过程而不退化，确保SMT生产线的良率。
　　此外，该器件具备较强的抗机械应力能力，三星通过优化内部电极布局和外部端子结构，降低了因PCB弯曲或热膨胀差异导致的陶瓷开裂风险。这对于大尺寸PCB或存在振动的应用尤为重要。整体而言，CL21B473KBNC是一款兼具稳定性、可靠性与通用性的MLCC器件，广泛应用于各类电子产品中。

应用

CL21B473KBNC广泛用于各类电子设备中的去耦和旁路电路，尤其常见于电源管理单元（PMU）、DC-DC转换器、LDO稳压器输入输出端，用以平滑电压波动并抑制高频噪声。其47nF电容值和50V耐压特性使其适用于12V至24V工业控制系统中的信号调理模块，也可作为运算放大器或ADC/DAC参考电压引脚的滤波元件，提升模拟信号链的信噪比与稳定性。
　　在通信设备中，该电容器可用于时钟发生器或PLL电路的去耦，减少相位噪声影响；在微控制器单元（MCU）或FPGA的I/O电源引脚附近，它可吸收瞬态电流尖峰，防止电源塌陷引发系统复位或误操作。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，CL21B473KBNC常用于音频路径的交流耦合或EMI滤波，改善音质表现并满足电磁兼容性（EMC）要求。
　　由于其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，该器件也适用于汽车电子应用，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路。虽然并非专为AEC-Q200认证设计，但在非严苛车载环境中仍具备一定的适用性。工业自动化设备、医疗仪器和测试测量装置中同样大量采用此类高性能MLCC，以确保系统长期运行的稳定性与可靠性。