CL21B471KBANNNC 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G/NP0 类介质材料的电容器。这种型号的电容器具有出色的温度稳定性和极低的介质损耗,非常适合用于高精度和高频应用场合。它采用贴片式封装,适合自动化表面贴装技术 (SMT) 的生产工艺。
容值:47pF
额定电压:50V
尺寸:0402英寸 (1.0mm x 0.5mm)
介质材料:C0G/NP0
公差:±0.3pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:片式 (Chip)
终端材质:锡/银/铜合金
CL21B471KBANNNC 属于 NP0 温度补偿型电容器,其容量随温度的变化非常小,具有 ±30ppm/°C 的温度系数,因此在宽温度范围内能够保持极高的稳定性。
此外,该电容器的介质损耗非常低,仅为 0.0005 或更低,使其适用于高频电路中的信号耦合、滤波和振荡等场景。
由于其小型化设计,它非常适合用于便携式电子设备和其他对空间要求严格的场景。同时,该型号通过了无铅环保认证,符合 RoHS 标准。
CL21B471KBANNNC 广泛应用于高频通信系统、无线模块、射频电路、晶体振荡器、滤波器以及其他需要高稳定性和低损耗的电子设备中。具体应用场景包括:
- 射频前端匹配网络
- 振荡电路
- 高速数字电路中的去耦
- 音频设备中的信号耦合
- 医疗设备中的精密控制电路
CL21B470KBANNNC
CL21B472KBANNNC
GRM155C80J470KA01D