时间：2025/8/7 11:27:04
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HGT1S20N35G3VLS是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适用于需要高功率密度和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适用于各种高效率电源转换系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：350V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.19Ω
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
HGT1S20N35G3VLS具有多项优秀的电气和热性能，适合在高功率应用中使用。
首先，该MOSFET具有350V的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源转换系统，如AC-DC电源适配器、PFC（功率因数校正）电路以及电机驱动系统。
其次，其最大连续漏极电流为20A，在适当的散热条件下可以满足较高电流负载的需求。此外，该器件的导通电阻Rds(on)典型值为0.19Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。
该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，并提高了器件的稳定性。其±20V的栅源电压容限使其在驱动电路设计上具有更高的灵活性，同时避免因栅极过电压而损坏器件。
封装方面，HGT1S20N35G3VLS采用标准的TO-220封装，具有良好的散热能力，便于安装在散热片上，适用于多种工业级应用环境。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在极端环境下的稳定性和可靠性。
综上所述，HGT1S20N35G3VLS是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高功率、高效率的电子系统设计。
HGT1S20N35G3VLS广泛应用于需要高电压和高电流能力的电源管理系统中。
常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器、PFC（功率因数校正）模块以及电机控制电路。由于其高耐压能力和低导通电阻特性，该器件也适用于光伏逆变器、工业自动化设备及家用电器中的电源部分。
此外，HGT1S20N35G3VLS还可用于LED照明驱动电源、电源管理模块、UPS（不间断电源）系统以及各种高功率负载开关电路中。其TO-220封装形式使其易于集成到PCB设计中，并具备良好的散热性能，适用于高可靠性工业和消费类电子产品。
TK20A35D, IRFPG50, FDPF350N20, STW20NK35Z
