型号：CL21B222KDCNFNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　电容值：2200pF (2.2nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　温度范围：-55°C ~ +125°C
　　电容温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　产品系列：CL Series
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍障层 + 哑光锡（Ni/Sn）
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分等级）

CL21B222KDCNFNC所采用的X7R陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性与电容保持能力，在-55°C到+125°C的整个工作温度区间内，电容值的变化幅度被严格控制在±15%以内，这使其非常适合用于对电容稳定性有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。相较于高介电常数的Y5V或Z5U材料，X7R在温度变化下的性能更为可靠，避免了极端温度下电容大幅衰减的问题。该器件的50V额定电压提供了足够的安全裕度，适用于多种中低压电源轨的去耦设计，例如3.3V、5V或12V系统。其2200pF的电容值在滤波和旁路电路中具有良好的频率响应特性，能够有效抑制中高频噪声。结构上，该MLCC采用多层叠膜工艺制造，内部由数十甚至上百层陶瓷与金属电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积的电容密度，同时降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而在高频下仍具备优良的阻抗特性。这种低阻抗特性对于高速数字电路中的电源去耦尤为重要，可有效减少电压波动和电磁干扰。此外，CL21B222KDCNFNC的0805封装形式在小型化与焊接可靠性之间取得了良好平衡，既节省PCB空间，又便于回流焊和波峰焊工艺实施。其端电极为镍阻挡层加锡镀层结构，具备良好的可焊性和抗热疲劳能力，确保长期使用中的连接稳定性。作为三星原厂产品，该器件具备高批次一致性和严格的品质管控，广泛通过AEC-Q200等车规认证的部分测试条件，可用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子环境。
　　值得一提的是，该型号采用无卤素（Halogen-Free）设计，符合现代绿色电子产品的发展趋势。其存储寿命长，不易受潮，但在实际使用中仍建议遵循MSL（湿敏等级）3的要求进行管控，以防止回流焊过程中出现“爆米花”效应。总体而言，CL21B222KDCNFNC是一款性能均衡、应用广泛的通用型MLCC，在成本、尺寸、电气性能和可靠性之间实现了良好折衷，是工程师在电路设计中常用的优选元件之一。

CL21B222KDCNFNC广泛应用于各类需要中等电容值和良好温度稳定性的电子电路中。典型应用场景包括电源管理模块中的输入输出滤波电容，用于平滑直流电压并抑制开关电源产生的纹波噪声。在微处理器、FPGA、ASIC等数字芯片的电源引脚处，该电容器常被用作局部去耦电容，以应对瞬态电流需求，维持电源轨稳定，降低系统噪声。此外，在模拟信号链路中，如运算放大器的偏置电路或滤波网络中，该电容可用于信号耦合与去耦，确保信号传输的完整性。其X7R介质特性也使其适用于定时电路、振荡器旁路以及RC时间常数设定等场合。在通信设备中，该器件可用于接口电路的EMI滤波，例如USB、Ethernet或RS-485总线的保护电路中，帮助抑制高频干扰。工业控制系统如PLC、传感器模块、人机界面（HMI）等也大量采用此类电容，因其能在较宽温度和湿度环境下长期稳定工作。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该型号常用于射频模块、音频处理单元及电池管理系统的外围电路。此外，在汽车电子领域，尽管非严格车规型号需谨慎选用，但该器件仍可能用于车载娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求适中的子系统中。由于其表面贴装特性，特别适合自动化生产线使用，适用于大批量SMT贴片工艺，提升生产效率与良品率。

GRM21BR71H222KA01L
　　C2012X7R1H222K
　　CL21A222KBPNLNC
　　CC0805KRX7R9D222
　　ECJ-2VB1H222K