时间：2025/8/2 7:07:22
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CPH6445-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能。该器件广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。CPH6445-TL-E封装在小型DFN5x6封装中，使其适用于空间受限的设计。该MOSFET支持高电流负载，适用于同步整流、DC-DC转换器和负载开关等应用。
类型: MOSFET
晶体管配置: 双N沟道
漏源电压（VDS）: 30V
连续漏极电流（ID）: 10A（每个晶体管）
导通电阻（RDS(ON))：典型值为14mΩ（VGS=10V）
栅极电压（VGS）: 最大20V
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: DFN5x6
CPH6445-TL-E采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了效率。其双N沟道MOSFET结构使其非常适合用于同步整流电路，从而提高电源转换效率。该器件的DFN5x6封装具有良好的热性能，能够有效地将热量散发出去，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，CPH6445-TL-E具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在苛刻环境中的可靠性。该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。其高栅极电压耐受能力（最大20V）使其适用于各种栅极驱动电路设计。此外，CPH6445-TL-E在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
CPH6445-TL-E广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统和电池供电设备。其高效率和小型封装使其非常适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式电子设备的电源管理电路。此外，该器件也适用于工业自动化设备、通信设备和汽车电子系统中的高效能电源转换应用。在这些应用中，CPH6445-TL-E能够提供高效的功率转换和可靠的性能，满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
Si3442CDV-T1-GE3, CSD16323Q5
