电容值：47nF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V DC
　　电介质材料：X7R
　　温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%
　　封装尺寸：0603（1.6mm × 0.8mm）
　　厚度：约0.9mm
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥4GΩ·μF 或 ≥50GΩ（取较小值）
　　耐久性：在额定电压与+125°C下持续工作1000小时后，电容值变化及漏电流仍满足规范
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依频率而定
　　谐振频率：典型值在数十MHz范围内，取决于PCB布局与测量条件

CL10F473ZO8NNNC 采用先进的叠层陶瓷制造工艺，内部由多个交替的陶瓷介质层和金属电极构成，形成高密度电容结构。X7R电介质材料赋予其优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C范围内电容值变化控制在±15%以内，远优于Y5V等普通材料。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现良好，能有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。其0603小型封装适应现代高密度PCB设计需求，有利于缩小终端产品体积。此外，该电容对机械应力具有一定耐受能力，但建议避免因PCB弯曲导致的裂纹风险。产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TCT）、耐焊接热等试验，确保在复杂环境下的长期稳定运行。
　　CL10F473ZO8NNNC 具备良好的直流偏压特性，尽管X7R材料会随施加电压升高而出现电容下降现象，但在25V额定电压下仍能保持相对可用的电容值。这一特性使其适用于中等电压级别的电源轨滤波。其低损耗因子（tanδ）保证了在交流信号路径中的高效传输，减少能量损失。该器件还具备非极性特点，安装时无需区分正负极，简化了装配流程。由于其无磁性材料构造，不会引入电磁干扰，适用于敏感模拟电路或射频前端设计。整体而言，这款MLCC结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代电子系统中理想的被动元件选择之一。

该器件广泛用于各类电子系统的电源管理单元中，作为去耦电容连接在集成电路（IC）的电源引脚与地之间，用以滤除高频噪声并稳定供电电压。在数字处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片周围常见此类配置。同时，它也适用于DC-DC转换器输出端的滤波电路，配合其他容值电容组成多级滤波网络，提高电源纯净度。在模拟信号链路中，可用于交流耦合、阻抗匹配和低通/高通滤波器构建，尤其是在音频处理、传感器接口和数据采集系统中发挥重要作用。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表等因其空间受限，大量采用此类小尺寸高容值MLCC进行紧凑布局。此外，在无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、5G模组）中，该电容用于射频供电线路的旁路，防止干扰串入敏感节点。工业控制设备、汽车电子（非引擎舱）和医疗便携设备也常选用该型号，以满足严苛的环境适应性和长期运行要求。其RoHS合规性和无卤素特性进一步拓展了其在绿色电子产品中的应用前景。

CL10A473ZQ8NNNC
　　GRM188R71E473KA01D
　　C1608X7R1E473K
　　ECJ-1VA473Z