时间：2025/7/15 20:40:59
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TS1GLH64V4B 是由 Toshiba（东芝）公司生产的一款 CMOS 型非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该器件结合了 SRAM 的高速特性和 EEPROM 的非易失性数据保存能力，在系统断电时能够自动将数据保存到内部的 EEPROM 中，并在电源恢复后自动将数据恢复到 SRAM 区域。这种特性使其特别适合用于需要实时数据保护和快速读写操作的应用场景。
容量：64K x 4 位
工作电压：2.7V 至 5.5V
访问时间：最大 55ns
封装形式：28 引脚 SOIC
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行接口
EEPROM 写入次数：100 万次
数据保持时间：100 年
TS1GLH64V4B 具备高性能与高可靠性的特点。其 SRAM 部分提供非常快的读写速度，支持高达 20MHz 的工作频率，适用于需要快速数据处理的系统。
此外，它集成了一个自动存储电路（AutoStore），可以在检测到电源下降时自动将 SRAM 数据复制到 EEPROM 存储单元中，确保数据不丢失。这一过程不需要外部控制器干预，提高了系统的稳定性和可靠性。
该芯片还具备软件和硬件数据保护功能，防止误写操作。内置的防反弹电路可以避免在 AutoStore 操作期间因电源波动导致的数据损坏问题。同时，它的 EEPROM 单元可承受多达一百万次的写入操作，数据保存时间长达 100 年，极大地增强了长期数据存储的可靠性。
TS1GLH64V4B 还支持手动触发的 HSB（Hardware Store/Restore）引脚控制，用户可以通过外部信号随时启动数据保存或恢复操作。
TS1GLH64V64V4B 主要应用于工业自动化设备、通信基础设施、测试测量仪器、电力监控系统以及嵌入式控制系统等领域。
在这些应用中，该芯片常用于缓存关键数据、记录运行日志、保存校准参数等任务。例如，在 PLC 控制器中，它可以用于保存当前的工作状态；在仪表设备中，可用于存储传感器采集的数据；在不间断电源（UPS）系统中，可用于维护关键配置信息。
由于其宽温工作范围和高抗干扰能力，也适合在恶劣环境中使用。此外，该芯片的低功耗设计也有助于延长电池供电设备的续航时间。
STK14C48, NVS08E1T33, CY14B104L
