BUK765R2 时间：2025/8/28 20:00:13 阅读：18

BUK765R2 是由 NXP（恩智浦）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高电流、高效率的功率开关应用。该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等高功率场景。BUK765R2 采用标准的 TO-220 封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻 Rds(on)：0.95mΩ（典型值）
　　最大功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：130nC（典型）
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V

特性

BUK765R2 的核心优势在于其超低的导通电阻（Rds(on)），使其在大电流应用中能够显著降低功耗，提高系统效率。其先进的 Trench MOS 技术确保了优异的开关性能和热稳定性，从而提高了器件在高温环境下的可靠性。
　　此外，该器件具有较高的电流承受能力，在连续漏极电流下可达到 160A，适合高功率负载的应用。TO-220 封装具备良好的散热能力，适合需要散热设计的电源系统。
　　BUK765R2 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。栅极驱动特性优化，使其在高频开关应用中表现优异，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器等场合。
　　由于其高可靠性和优异的性能，BUK765R2 被广泛应用于汽车电子、工业控制、服务器电源、电池管理系统（BMS）以及电机驱动等领域。

应用

BUK765R2 主要用于需要高效率、高电流开关能力的功率电子系统中。典型应用包括：DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子中的功率控制模块。
　　该器件也常用于服务器和通信设备的电源系统中，作为主开关或同步整流开关，以提高整体效率和功率密度。由于其优异的热性能和抗冲击能力，BUK765R2 在新能源汽车的电池管理和电机驱动系统中也有广泛应用。