CL10F225MONC 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G/NP0 类介质材料。它具有高稳定性和低温度系数,适合用于对频率稳定性要求较高的电路中。这种电容器的封装形式通常为chip型,广泛应用于射频、滤波器和高频耦合等场景。
CL10F225MONC 的主要特点是其优异的电气性能和可靠性,在高温和低温环境下都能保持稳定的电容值,同时具有较低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL),这使得它非常适合在高频应用中使用。
电容值:225pF
额定电压:50V
公差:±5%
直流偏置特性:不显著(C0G介质)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:0805英寸(约2.0mm x 1.25mm)
介质材料:C0G/NP0
封装类型:表面贴装器件(SMD)
耐焊峰值温度:260℃(10秒以内)
CL10F225MONC 使用了C0G/NP0类介质材料,这种材料的最大优势在于它的温度系数非常低,仅为0ppm/°C,这意味着即使环境温度发生变化,电容器的电容值也几乎不会受到影响。
此外,由于该电容器采用的是多层陶瓷技术,因此它能够提供极高的体积效率,即在较小的物理尺寸下实现较大的电容值。
CL10F225MONC 还具备良好的抗机械应力性能,可以承受焊接过程中的热冲击以及长期使用中的振动和冲击。
另一个重要特性是其直流偏置影响很小,这对于需要稳定电容值的应用非常重要。
CL10F225MONC 适用于多种高频电子设备,包括但不限于:
1. 射频模块中的谐振和匹配电路
2. 高频滤波器设计
3. 振荡器和时钟电路
4. 数据通信设备中的信号耦合与去耦
5. 医疗设备和航空航天领域中的高性能电路
6. 工业控制系统的噪声抑制
7. 测试测量仪器中的精密耦合
由于其高稳定性和低损耗特性,CL10F225MONC 成为许多高性能应用的理想选择。
CL10B225KOQNC, GRM188R60J225KE9#