时间：2025/12/26 3:34:52
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SCDS5D18NT680是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装硅 carbide (SiC) 肖特基二极管，专为高效率、高频率的电力电子应用设计。该器件结合了碳化硅材料的优异性能与先进的封装技术，能够在高温、高压和高频条件下稳定运行。SCDS5D18NT680的额定电压为680V，平均整流电流为5A，适用于需要高效能功率转换的场合。其无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性显著降低了开关损耗，提升了系统整体效率，并减少了电磁干扰（EMI），从而简化了滤波电路的设计。此外，该二极管采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的热传导性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产工艺。
作为一款基于SiC技术的肖特基二极管，SCDS5D18NT680在导通压降（Vf）方面表现出色，相较于传统的硅基快恢复二极管或PIN二极管，在相同电流下具有更低的正向压降，进一步降低了导通损耗。该器件还具备出色的热稳定性，可在高达175°C的结温下持续工作，适用于恶劣环境下的电源系统。由于其快速响应特性和低寄生参数，SCDS5D18NT680广泛应用于开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器、逆变器以及太阳能光伏系统等高端电力电子设备中。
型号：SCDS5D18NT680
制造商：Vishay Semiconductor
器件类型：SiC肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：680V
平均整流电流（IF(AV)）：5A
正向压降（VF）：典型值1.55V（在IF = 5A时）
最大反向漏电流（IR）：典型值250μA（在VR = 680V, TJ = 25°C）
结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252 (D-Pak)
安装方式：表面贴装
是否符合RoHS：是
SCDS5D18NT680的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造，这种宽禁带材料赋予了器件卓越的电学和热学性能。首先，SiC材料具有比硅高三倍的击穿电场强度，使得该二极管能够在680V的高反向电压下安全运行，同时保持较小的芯片尺寸和较低的漏电流。其次，由于其肖特基势垒结构，该器件不存在少数载流子存储效应，因此没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复时间（trr ≈ 0），这在高频开关应用中至关重要。传统硅二极管在关断过程中会产生显著的反向恢复电流，导致额外的开关损耗和电压尖峰，而SCDS5D18NT680则完全避免了这一问题，极大地提高了电源系统的转换效率并降低了EMI噪声。
此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达175°C，远高于普通硅二极管的150°C限制，这意味着它可以在更高环境温度或更紧凑散热设计的系统中可靠工作。低正向压降（VF）也是其关键特性之一，在5A工作电流下典型值仅为1.55V，相比同等级别的硅二极管可降低约20%-30%的导通损耗，尤其在大电流应用场景中节能效果显著。TO-252封装提供了良好的热传导路径，通过底部焊接到PCB可有效将热量传递至散热层，提升长期可靠性。该封装也兼容标准SMT工艺，便于大规模自动化生产。最后，该器件具有极低的结电容和寄生电感，有利于高频操作下的信号完整性，适用于MHz级开关频率的先进拓扑如图腾柱PFC等。
SCDS5D18NT680因其高性能特性被广泛用于各类高效能电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，常用于有源功率因数校正（PFC）电路中的升压二极管，利用其无反向恢复特性来提升效率并减少EMI滤波需求。在工业电源设备中，该器件适用于高密度DC-DC转换器的输出整流环节，特别是在需要轻载效率优化的应用场景中表现突出。太阳能光伏逆变器也大量采用此类SiC二极管，用于直流侧防反二极管或MPPT电路中，以提高能量采集效率并增强系统耐久性。
电动汽车充电基础设施（如车载充电机OBC和充电桩电源模块）同样受益于该器件的高温稳定性和高效率特性，有助于缩小散热器体积并提升功率密度。此外，在不间断电源（UPS）、感应加热系统和LED驱动电源中，SCDS5D18NT680可用于高频整流和续流功能，帮助实现更高的系统效率和更小的整体尺寸。由于其出色的动态性能，该器件特别适合用于现代图腾柱无桥PFC拓扑结构中，这类拓扑对二极管的开关速度和反向恢复行为极为敏感，而SiC肖特基二极管正是理想选择。总之，凡是对效率、温度和空间有严格要求的中高功率电源设计，均可考虑使用SCDS5D18NT680作为核心整流元件。
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"C4D05120A",
"C4D05120D",
"SDT5S60C",
"MBR0560C",
"SCT30N60AL"
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