产品型号：CL10C0R5BB8ANNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0201 (0.6mm x 0.3mm)
　　电容值：0.5pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：4V DC
　　介质材料：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数结构：多层陶瓷（MLCC）
　　端接形式：镍阻挡层 + 哑光锡电极
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分等级适用）
　　电容稳定性：高，无明显老化现象
　　应用频率范围：适用于DC至GHz级高频电路

CL10C0R5BB8ANNC采用C0G（即NP0）型陶瓷介质，这是一种Class I类型的介电材料，以其卓越的电气稳定性著称。C0G材料的温度系数为0±30ppm/°C，意味着在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C），电容值的变化极其微小，几乎可以忽略不计，这使得该器件非常适合用于对精度要求极高的振荡电路、滤波器、谐振匹配网络以及射频前端模块中。相较于X7R或Y5V等Class II介质，C0G材料不具备明显的电压依赖性，即在不同直流偏压下电容值不会显著下降，从而确保了电路性能的一致性和可预测性。
　　该器件的0201封装是目前主流的小型化SMD封装之一，体积仅为传统0402封装的1/4左右，极大提升了PCB的空间利用率，特别适用于高集成度的移动设备，如智能手机、TWS耳机、智能手表等。尽管尺寸微小，但其结构设计优化了机械强度与热应力适应能力，降低了因板弯或温度循环导致的裂纹风险。同时，三星通过精密叠层技术和均匀的内电极分布，保证了产品的高可靠性和长期稳定性。
　　CL10C0R5BB8ANNC还具备极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出优异的去耦和旁路性能，能够有效抑制噪声并提升信号完整性。此外，该电容器无磁性、无压电效应，避免了对外部电磁环境的干扰，也防止自身受到机械振动的影响。其端电极为镍阻挡层加哑光锡覆盖，具备良好的可焊性和耐热冲击性，兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。
　　由于其超小电容值（仅0.5pF），该型号常被用作RF调谐、天线匹配、高速差分信号线补偿等精密调节场合，是高频模拟和无线通信电路中不可或缺的关键元件。

CL10C0R5BB8ANNC主要应用于高频、高稳定性要求的电子系统中，尤其适合射频（RF）和微波电路领域。它广泛用于智能手机中的射频前端模块（FEM），如功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和天线调谐电路，用于实现阻抗匹配和信号滤波，以提高无线传输效率和接收灵敏度。此外，在Wi-Fi、蓝牙、Zigbee和5G毫米波通信模块中，该电容器可用于高频旁路和去耦，保障信号路径的纯净性。
　　在高速数字电路中，例如DDR内存接口、SerDes链路和时钟分配网络，CL10C0R5BB8ANNC可作为微小容值补偿元件，用于调整信号上升/下降时间或消除寄生电感带来的振铃效应。其在测试测量仪器、高频示波器探头、锁相环（PLL）和压控振荡器（VCO）电路中也有重要用途，因其电容值高度稳定，有助于维持频率精度和相位噪声性能。
　　此外，该器件也被广泛应用于可穿戴设备、医疗监测设备、物联网传感器节点等对空间和功耗极为敏感的产品中，满足小型化与高性能兼顾的设计需求。