类型：N沟道
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：300mA
　　最大耗散功率（Ptot）：350mW
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.4Ω @ VGS = 4.5V；最大值 0.5Ω @ VGS = 4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：典型值 15pF @ VDS = 15V, VGS = 0V
　　反向传输电容（Crss）：典型值 3pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约 5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约 10ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)
　　通道数：单通道
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：300mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：1.2A
　　雪崩能量（EAS）：不适用（未指定）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：典型值 15ns

B07TJLB 具备优异的电气特性和可靠的工艺设计，使其在同类小信号 MOSFET 中表现出色。其核心优势之一是极低的导通电阻 RDS(on)，在 VGS = 4.5V 条件下典型值仅为 0.4Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，特别适用于对功耗敏感的应用场景，如移动设备和可穿戴产品。得益于先进的 Trench MOS 技术，该器件实现了更高的沟道密度和更均匀的电场分布，从而提升了开关效率并减少了热积累。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关响应能力，使 B07TJLB 能够在高频开关电路中稳定运行，减少开关延迟和交叉导通风险。此外，该器件的栅极阈值电压范围为 0.6V 至 1.2V，属于逻辑兼容级别，能够直接由 1.8V、2.5V 或 3.3V 数字信号驱动，简化了外围驱动电路的设计。
　　另一个重要特性是其出色的热稳定性和长期可靠性。尽管封装尺寸微小，但 SOT-23 封装经过优化设计，具有良好的散热路径，能够在有限的空间内有效传导热量。器件的工作结温可达 +150°C，表明其在高温环境下仍能保持性能稳定，适用于恶劣工况下的嵌入式系统。同时，B07TJLB 经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在长时间运行中不会出现性能退化或早期失效。此外，该器件内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr ≈ 15ns），可在感性负载切换时提供有效的续流路径，降低电压尖峰带来的应力，保护主控芯片和电源线路。综合来看，B07TJLB 凭借其小型化、高效能、高可靠性和广泛的兼容性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

B07TJLB 广泛应用于多种低功耗、高集成度的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，它常用于锂电池供电设备的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的负载开关或电源路径管理模块，实现对不同功能模块的按需供电以延长续航时间。在 LED 照明领域，该器件可用于驱动小型指示灯或背光灯，利用其快速开关能力和低导通压降提升亮度调节精度并减少发热。工业控制系统中，B07TJLB 可作为信号路由开关或继电器替代方案，用于隔离模拟或数字信号通道，提高系统的响应速度和抗干扰能力。在汽车电子方面，由于其通过 AEC-Q101 认证，可用于车身控制模块中的车窗升降器控制、门锁驱动、内部照明调光等功能，满足车载环境对可靠性和耐温性的严苛要求。通信设备中，该 MOSFET 常用于 RF 开关、天线切换或多路复用器电路中，凭借其低电容和高速特性保证信号完整性。此外，在物联网（IoT）终端节点、传感器模块和无线传感网络中，B07TJLB 被用来控制传感器电源，实现休眠唤醒机制，大幅降低待机功耗。其 SOT-23 小封装也使其非常适合空间受限的高密度 PCB 设计，如可穿戴设备和微型模块化电路板。总之，B07TJLB 因其多功能性和高适应性，已成为现代电子设计中实现高效、紧凑和节能解决方案的关键组件之一。

[
　　 "BSS138",
　　 "FMMT203",
　　 "DMG2305UX",
　　 "SI2302DDS",
　　 "2N7002",
　　 "AO3400",
　　 "IPL502"
　　]