ATF-551M4-TR2 是一款由 Analog Devices 公司推出的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),主要设计用于低噪声放大器(LNA)应用。该器件工作频率范围覆盖从直流到 6 GHz,非常适合用于无线通信系统、射频接收器前端以及其他高性能射频电路。ATF-551M4-TR2 提供了出色的噪声性能和高线性度,同时具备良好的稳定性和可靠性,适用于多种射频和微波应用场景。
类型:GaAs FET
频率范围:DC - 6 GHz
噪声系数:0.45 dB(典型值,@ 2 GHz)
增益:17.5 dB(典型值,@ 2 GHz)
输出IP3:34 dBm(典型值)
静态电流:50 mA(典型值)
漏极电压:7 V(最大值)
封装类型:SOT-363
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
ATF-551M4-TR2 的主要特性之一是其超低噪声系数,这使其成为低噪声放大器设计的理想选择,尤其适用于需要高灵敏度的无线通信系统。该器件在高频段仍能保持良好的噪声性能,确保了信号接收的稳定性。
此外,ATF-551M4-TR2 提供了较高的线性度和输出三阶交调截点(IP3),从而降低了信号失真,提高了系统的整体动态范围。这对于处理高密度调制信号的射频接收链至关重要。
该器件的增益在典型工作条件下可达 17.5 dB,确保了信号的有效放大,同时其高稳定性和内部反馈抑制设计使其易于使用,无需额外的稳定性补偿电路。
ATF-551M4-TR2 采用 SOT-363 小型封装,便于在高密度 PCB 设计中实现紧凑布局,并具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)。
由于其出色的射频性能和小型封装,ATF-551M4-TR2 被广泛应用于无线基站、WLAN、WiMAX、CATV、测试设备以及各种射频接收前端设计。
ATF-551M4-TR2 被广泛应用于需要高性能低噪声放大的射频系统中。典型应用包括蜂窝通信基站、无线局域网(WLAN)、WiMAX 接收前端、卫星通信设备、射频测试仪器、有线电视(CATV)系统、无线传感器网络以及各种便携式或固定式射频接收设备。由于其优异的线性度和噪声性能,该器件也常用于多频段或多标准通信系统中的前端放大器设计。
ATF-54143, ATF-55143, BGA2707, BGA2727