M51957BFP#DF0R 是一种高速、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),由富士通(现为索喜科技)生产。该芯片采用先进的制造工艺,能够在较低的电压下工作,并提供高可靠性和快速访问时间。其设计适用于需要高性能和低功耗的应用场景,例如通信设备、工业控制、消费类电子产品以及嵌入式系统等。
该型号具有较高的集成度和可靠性,能够满足现代电子系统对数据存储的需求。此外,它支持多种工作模式以优化性能和功耗。
存储容量:512K x 8 bits
电源电压(Vcc):1.6V ~ 3.6V
工作电流:最大 10mA(典型值)
待机电流:最大 1μA(典型值)
访问时间:7ns(典型值)
数据保持时间:无限
封装形式:FBGA-48
工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
引脚间距:1mm
M51957BFP#DF0R 的主要特性包括:
1. 快速访问时间:这款 SRAM 芯片具有非常短的访问时间,能够确保在高频操作下的数据传输速度。
2. 低功耗设计:通过优化电路结构,芯片能够在保证性能的同时降低功耗,非常适合电池供电设备。
3. 高可靠性:具备较强的抗干扰能力,在恶劣环境下也能稳定运行。
4. 宽电压范围:支持从 1.6V 到 3.6V 的宽电压范围,方便与不同类型的主控芯片连接。
5. 小型化封装:采用 FBGA 封装,节省 PCB 空间并提高焊接可靠性。
6. 多种省电模式:提供不同的工作模式,允许用户根据实际需求选择最佳功耗方案。
M51957BFP#DF0R 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化设备:如 PLC 和 CNC 机床中的缓存存储。
2. 通信网络设备:路由器、交换机等需要临时存储大量数据的场景。
3. 消费类电子产品:数字电视、音频处理设备等需要快速数据读写功能的产品。
4. 嵌入式系统:微控制器扩展内存,用于保存关键数据或程序代码。
5. 医疗仪器:心电图仪、超声波诊断设备等需要高精度和低延迟的数据处理任务。
M51957BFPR#WU0R, M51957BFP#WU0R