容量：4.7μF
　　额定电压：10V
　　电介质类型：X7R
　　温度特性：±15%
　　封装尺寸：0603 (1608 公制)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容容差：±10%
　　直流偏压特性：在10V偏压下，电容值保持率较高，典型应用中仍可维持标称容量的70%以上
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100S
　　损耗因数（DF）：≤2.5%
　　端接类型：镍钯（Ni-Pd）三层端子，兼容无铅焊接
　　包装形式：卷带包装，适用于自动化贴片生产

CL10A475KP8NNND作为一款高性能X7R材质的MLCC，在多个方面展现出优异的技术特性。首先，其采用X7R陶瓷介质，具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+125°C），在此区间内电容值的变化不超过±15%，确保了电路在不同环境条件下的稳定性。这对于需要应对温度波动的应用场景尤为重要，例如电源管理模块或嵌入式系统中的去耦设计。
　　其次，该电容器具有较高的单位体积电容量，即在小型化的0603封装中实现了4.7μF的大容量输出，极大提升了PCB布局的空间利用率。这种高密度集成能力使得现代电子产品可以进一步缩小体积，同时不牺牲滤波与储能功能。此外，尽管X7R材料属于铁电陶瓷，存在一定的电压依赖性，但CL10A系列通过优化介质层厚度和材料配方，在10V额定电压下仍能保持相对稳定的电容表现，实测显示在全工作电压范围内仍有超过70%的容量可用，显著优于普通同类产品。
　　再者，该器件采用了镍钯（Ni-Pd）作为外电极材料，相比传统的纯银或铜端头，具备更强的抗迁移能力和耐高温性能，有效防止了在潮湿环境下发生的银离子迁移现象，提高了长期使用的可靠性。同时，三层端子结构（Cu/Ni/Sn）确保了良好的可焊性和焊接强度，适用于高速SMT生产线，并能承受多次回流焊过程而不会出现脱焊或裂纹问题。
　　最后，该型号完全符合RoHS指令要求，不含铅、镉、六价铬等有害物质，属于绿色环保元件，适用于出口型电子设备及对环保有严格要求的项目。整体而言，CL10A475KP8NNND凭借其稳定电气性能、高可靠性、小型化优势以及环保合规性，成为众多中高压去耦和滤波应用的理想选择。

CL10A475KP8NNND广泛应用于各类需要中等容量且温度稳定性良好的去耦和旁路场合。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源轨滤波，用于平滑DC-DC转换器输出电压并抑制高频噪声。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的供电引脚附近，该电容器可有效吸收瞬态电流变化引起的电压波动，提升系统运行稳定性。
　　此外，它也适用于通信模块中的信号耦合与隔直电路，例如Wi-Fi、蓝牙或蜂窝模组中用于射频前端电源的退耦。由于其具备较好的频率响应特性，在数百kHz到数十MHz范围内均表现出较低的等效串联阻抗（ESR），因此也可用于开关电源（SMPS）的输入/输出滤波网络，协助降低纹波电压。
　　在工业控制与汽车电子领域，虽然该型号不属于车规级（AEC-Q200认证）产品，但在非严苛环境下的辅助电源电路、传感器接口模块或HMI面板中仍有使用。特别是在成本敏感且空间受限的设计中，CL10A475KP8NNND因其性价比高、供货稳定而受到工程师青睐。总之，凡是对体积、电容值和温度稳定性有一定要求，但无需极端可靠性的应用场景，均可考虑采用此型号进行设计。

GRM188R71A475KA01D
　　C1608X7R1A475K035AC
　　CL10A475KO8NNNC
　　LCML1608R71A475K