时间：2025/6/26 17:35:04
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GR443QR73D332KW01L 是一款由日本厂商 Rohm 生产的高性能功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够承受较高的漏源电压，并提供较低的导通电阻以减少功耗。其封装形式为 LFPAK8 封装，有助于提高散热性能并节省 PCB 空间。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：33A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷：50nC
开关时间：ton=16ns, toff=17ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
GR443QR73D332KW01L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可有效降低传导损耗，从而提升系统效率。
2. 高速开关性能使得该器件非常适合高频应用环境。
3. 小型化的 LFPAK8 封装在保证散热性能的同时减少了 PCB 占用面积。
4. 较宽的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃) 使它能够在极端环境下稳定运行。
5. 内置 ESD 保护功能增强了器件的可靠性。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的各种功率管理模块。
由于其高效的性能和广泛的适用性，该器件成为许多高性能功率转换应用的理想选择。
IPA60R079P7, FDP15N60C, IRFZ44N
