型号：CL03KT22N
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0603 (1.6mm x 0.8mm)
　　电容值：22nF (22000pF)
　　容差：±5%
　　介质材料：C0G (NP0)
　　额定电压：25V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　电容稳定性：Class I (C0G)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　老化率：≤0.1% per decade
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 RC ≥ 5000Ω·F
　　耗散因数（DF）：≤0.1%
　　最大厚度：0.9mm
　　端接：镍阻挡层 + 锡涂层
　　符合RoHS指令：是

CL03KT22N采用C0G（也称为NP0）陶瓷介质，这是一种一类（Class I）陶瓷材料，具有极其优异的电容稳定性。其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±30ppm/°C，这意味着在整个温度区间内总变化量小于±0.5%，远优于X7R、Y5V等二类陶瓷介质。这种高度稳定的特性使其非常适合用于振荡器、定时电路、滤波器和其它对频率稳定性要求高的模拟电路中。
　　该电容器的容差为±5%，相较于常见的±10%或±20%产品，能提供更高的精度，有助于提升系统的一致性和可靠性。其额定电压为25V DC，在实际应用中建议留有一定余量以避免电压应力导致性能退化。由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此它几乎不受施加电压的影响，即使在接近额定电压下工作，电容值也不会显著下降，这是其相对于高介电常数材料（如BaTiO3基陶瓷）的一大优势。
　　CL03KT22N采用0603小型化封装，适应现代电子产品向轻薄短小发展的趋势，同时兼顾焊接可靠性和自动化贴片工艺的兼容性。其端子结构采用镍阻挡层和外覆锡层设计，有效防止银迁移并增强可焊性。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子制造流程。此外，其极低的老化率（≤0.1%每十倍时间）意味着电容值不会随着时间推移而明显衰减，确保长期运行中的性能一致性。
　　在电气性能方面，CL03KT22N的耗散因数（DF）低于0.1%，表明其能量损耗极小，适合高频应用场合。其高绝缘电阻（通常大于100GΩ）也减少了漏电流问题，特别适用于高阻抗电路和精密传感器接口。综合来看，这款MLCC在稳定性、精度和可靠性方面表现突出，是高性能模拟和射频电路中的理想选择。

CL03KT22N主要用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中。常见应用包括射频（RF）匹配网络、LC振荡电路、时钟发生器、PLL环路滤波器、精密放大器反馈网络、ADC/DAC参考电压旁路以及高温环境下工作的工业控制系统。由于其优异的温度特性和电压无关性，该器件也广泛用于汽车电子中的传感器信号调理模块、车载信息娱乐系统和发动机控制单元（ECU）中。此外，在医疗设备、测试与测量仪器、光纤通信模块以及航空航天电子系统中，CL03KT22N因其长期可靠性而被优先选用。其小型化封装还使其适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的噪声滤波和电源去耦设计。

GRM188C71H223JA01D
　　CC0603JRNPO9BN22N
　　C1608C0G1H223J
　　CL10A22NQHNNSNC